[發明專利]透明化合物半導體及其P型摻雜方法在審
| 申請號： | 201480002425.4 | 申請日： | 2014-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN104641422A | 公開（公告）日： | 2015-05-20 |
| 發明（設計）人： | 車國麟;任志淳 | 申請（專利權）人： | 瑞福龍株式會社 |
| 主分類號： | H01B1/08 | 分類號： | H01B1/08;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人： | 王達佐;洪欣 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 透明 化合物 半導體 及其 摻雜 方法 | ||
1.P型摻雜透明化合物半導體，其包含摻雜有M(M是Ru、Ga、Cu、Zn、K、Na以及Rb中的一種)的(Ba,Sr)SnO3和SnO2之一，
其中(Ba,Sr)SnO3是指Ba1-ySrySnO3(0≤y≤1.0)。
2.如權利要求1所述的P型摻雜透明化合物半導體，其具有組成(Ba,Sr)Sn1-xMxO3(0<x≤0.7)，
其中M是Ru、Ga、Cu和Zn中的一種，并且(Ba,Sr)Sn1-xMxO3是指Ba1-ySrySn1-xMxO3(0≤y≤1.0)。
3.如權利要求1所述的P型摻雜透明化合物半導體，其具有組成(Ba,Sr)1-xMxSnO3(0<x≤0.7)，
其中M是K、Na和Rb中的一種，并且(Ba,Sr)1-xMxSnO3是指(Ba1-ySry)1-xMxSnO3(0≤y≤1.0)。
4.如權利要求1所述的P型摻雜透明化合物半導體，其具有組成Sn1-xMxO2(0<x≤0.7)，
其中M是Ru。
5.P型摻雜透明化合物半導體，其具有組成(Ba,Sr)Sn1-xRuxO3(0<x≤0.7)，
其中(Ba,Sr)是指Ba1-ySry(0≤y≤1.0)。
6.如權利要求5所述的P型摻雜透明化合物半導體，其中通過用Ru摻雜(Ba,Sr)SnO3來形成(Ba,Sr)Sn1-xRuxO3。
7.P型摻雜透明化合物半導體，其具有組成(Ba,Sr)1-xKxSnO3(0<x≤0.7)，
其中(Ba,Sr)是指Ba1-ySry(0≤y≤1.0)。
8.如權利要求7所述的P型摻雜透明化合物半導體，其中通過用K摻雜(Ba,Sr)SnO3來形成(Ba,Sr)1-xKxSnO3。
9.P型摻雜透明化合物半導體的制備方法，通過用M(M是Ru、Ga、Cu、Zn、K、Na和Rb中的一種)取代(Ba,Sr)SnO3和SnO2之一中包含的(Ba,Sr)和Sn之一來進行P型摻雜。
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