[發明專利]端子、電線連接結構體及端子的制造方法

有效

• 申請號: 201480000688.1
• 申請日: 2014-01-08
• 公開（公告）號: CN104126251B
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: 松尾亮佑;橘昭賴;水戶瀨賢悟
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社;古河AS株式會社
• 主分類號: H01R4/02
• 分類號: H01R4/02;H01R4/62;H01R13/03;H01R43/00
• 代理公司: 北京思益華倫專利代理事務所(普通合伙)11418
• 代理人: 郭紅麗,趙飛

1.一種端子，所述端子包括與外部端子電連接的連接器部、與所述連接器部一體連接或分開連接并與電線壓接的筒狀壓接部、連接筒狀壓接部的過渡部，其特征在于，

所述筒狀壓接部由金屬基材或具有所述金屬基材的金屬構件通過激光焊接形成，所述金屬基材由銅或銅合金構成，

所述筒狀壓接部具有沿與其長度方向大致相同的方向形成的帶狀焊接部，

所述筒狀壓接部是如下形狀的筒構件，即，所述過渡部側被閉合，從電線插入口側向所述過渡部側縮徑，并且使電線的導體端部不露出，

所述筒狀壓接部的圓周方向與所述金屬構件中的基材的RD方向大致相同，

在所述金屬構件的所述基材中，當以Cube方位、RDW方位、Goss方位取向的晶粒的面積率分別為R1、R2、R3時，所述面積率R1、R2、R3的和為15％以上，

所述Cube方位的晶粒包括從所述Cube方位偏離±10％角度的晶粒，所述RDW方位的晶粒包括從所述RDW方位偏離±10％角度的晶粒，所述Goss方位的晶粒包括從所述Goss方位偏離±10％角度的晶粒。

2.根據權利要求1所述的端子，其中，所述銅合金是Cu-Ni-Si類合金、Cu-Cr類合金、Cu-Zr類合金、Cu-Sn類合金中的任一種。

3.一種電線連接結構體，所述結構體是將權利要求1或2所述的端子通過所述端子的所述筒狀壓接部與電線連接。

4.根據權利要求3所述的電線連接結構體，其中，所述電線的導體由鋁或鋁合金構成。

5.一種端子的制造方法，所述端子包括與外部端子電連接的連接器部、與所述連接器部一體設置或分開設置并與電線壓接的筒狀壓接部、連接筒狀壓接部的過渡部，

所述筒狀壓接部是如下形狀的筒構件，即，所述過渡部側被閉合，從電線插入口側向所述過渡部側縮徑，并且使電線的導體端部不露出，

所述制造方法的特征在于，具有以下工序：

形成金屬基材的工序，在所述金屬基材中，當以Cube方位、RDW方位、Goss方位取向的晶粒的面積率分別為R1、R2、R3時，所述面積率R1、R2、R3的和為15％以上，所述Cube方位的晶粒包括從所述Cube方位偏離±10％角度的晶粒，所述RDW方位的晶粒包括從所述RDW方位偏離±10％角度的晶粒，所述Goss方位的晶粒包括從所述Goss方位偏離±10％角度的晶粒；

成型筒狀體的工序，即，對所述金屬基材進行沖壓加工，以所述金屬基材的RD方向與筒狀壓接部的圓周方向大致相同的方式成型筒狀體；

一邊激光焊接所述筒狀體的對接部，沿與其長度方向大致相同的方向形成帶狀焊接部，一邊形成筒狀壓接部的工序。

6.一種端子的制造方法，所述端子包括與外部端子電連接的連接器部、與所述連接器部一體設置或分開設置并與電線壓接的筒狀壓接部、連接筒狀壓接部的過渡部，

所述筒狀壓接部是如下形狀的筒構件，即，所述過渡部側被閉合，從電線插入口側向所述過渡部側縮徑，并且使電線的導體端部不露出，

所述制造方法的特征在于，具有以下工序：

形成金屬基材的工序，在所述金屬基材中，當以Cube方位、RDW方位、Goss方位取向的晶粒的面積率分別為R1、R2、R3時，所述面積率R1、R2、R3的和為15％以上，所述Cube方位的晶粒包括從所述Cube方位偏離±10％角度的晶粒，所述RDW方位的晶粒包括從所述RDW方位偏離±10％角度的晶粒，所述Goss方位的晶粒包括從所述Goss方位偏離±10％角度的晶粒；

在所述金屬基材上設置金屬層形成金屬構件的工序；

成型筒狀體的工序，即，對所述金屬構件實施沖壓加工，以所述金屬構件的所述基材的RD方向與筒狀壓接部的圓周方向大致相同的方式成型筒狀體；

一邊激光焊接所述筒狀體的對接部，在沿與其長度方向大致相同的方向形成帶狀焊接部，一邊形成筒狀壓接部的工序。

7.根據權利要求5或6所述的端子的制造方法，其中，還具有焊接并密封所述筒狀壓接部的與電線插入口相反一側的端部的工序。