[實用新型]直流射頻磁控濺射鍍膜室及直流射頻磁控濺射鍍膜系統

有效

• 申請號: 201420867385.7
• 申請日: 2014-12-31
• 公開（公告）號: CN204417582U
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 戴建新
• 申請（專利權）人: 常熟市虞華真空設備科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 張俊范

技術領域

本實用新型涉及一種鍍膜室及鍍膜系統，特別是涉及一種直流射頻磁控濺射鍍膜室及直流射頻磁控濺射鍍膜系統。

背景技術

當今信息社會，人們通過電視機、收音機、手機、互聯網等，可即時看到或聽到世界上所發生的新聞，之所以能做到這一點，首先需要攝像機、數碼相機等采集圖像及聲源，并對其進行編輯加工，更重要的是需要由通信衛星、計算機等構成的互聯網，并通過天線和光纜將這些互聯網信息發送到辦公室、家庭等終端。這些采集、處理信息及通信網絡設備中名都需要大量的元器件、電子線路、集成電路等。而薄膜技術是制作這些元器件、電子線路、集成電路的關鍵技術基礎。直流射頻磁控濺射鍍膜室及鍍膜系統主要用于不同材料膜層的沉積與制備。現有技術缺乏一種用于開發不同納米級的單層、多層及復合膜的鍍膜系統。

實用新型內容

針對上述現有技術的不足，本實用新型的目的是提供一種直流射頻磁控濺射鍍膜室，用于開發不同納米級的單層、多層及復合膜。本實用新型的另一個目的是提供一種直流射頻磁控濺射鍍膜系統，提升抽真空效果。

本實用新型的技術方案是這樣的：一種直流射頻磁控濺射鍍膜室，包括本體，所述本體頂部設有若干濺射靶，本體內自上往下依次設有擋板、基片架和加熱器，所述擋板由設置在本體頂部的電機驅動旋轉，所述基片架由設置在本體底部的電機驅動旋轉，所述擋板為遮蔽基片架的圓形薄板，所述擋板設有若干鍍膜孔，所述加熱器固定設置于基片架下方用于輻射加熱基片架。

優選的，所述鍍膜孔設有三個。

直流射頻磁控濺射鍍膜系統包括直流射頻磁控濺射鍍膜室，所述直流射頻磁控濺射鍍膜室分別連接充氣系統和抽氣系統，所述抽氣系統包括串聯連接的主抽系統和預抽泵，所述主抽系統包括并聯連接的第一主抽管路和預抽閥，所述第一主抽管路包括一次串聯連接的主抽閥、分子泵和前級閥，所述主抽閥與直流射頻磁控濺射鍍膜室連接。

優選的，所述充氣系統包括串聯連接的混氣閥、混氣罐和若干氣源，所述混氣閥與直流射頻磁控濺射鍍膜室連接。

本實用新型所提供的技術方案的優點在于，可分別控制旋轉的基片架和擋板各自轉動，改變鍍膜孔與基片的相對位置，實現當個基片遮擋、多個基片遮擋或者單基片裸露等多種鍍膜狀態，從而實現單基片鍍多種靶材形成復合膜或者多基片同時鍍單一靶材，提高了鍍膜效率。通過預抽閥、前級閥以及主抽泵和前級泵之間的配合控制，保證在20分鐘內從大氣抽至5×10^-3Pa，60分鐘內優于5×10^-4Pa的真空指標，抽真空效率高。

附圖說明

圖1為直流射頻磁控濺射鍍膜室結構示意圖。

圖2為擋板結構示意圖。

圖3為直流射頻磁控濺射鍍膜系統結構示意圖。

具體實施方式

下面結合實施例對本實用新型作進一步說明，但不作為對本實用新型的限定。

請參見圖3，本實用新型所涉及的直流射頻磁控濺射鍍膜系統包括直流射頻磁控濺射鍍膜室6。多個氣源16通過充氣閥17與混氣罐15連接，混氣罐15與混氣閥14連接共同組成充氣系統7與直流射頻磁控濺射鍍膜室6連接對其進行充氣。直流射頻磁控濺射鍍膜室6還連接有抽氣系統8，抽氣系統8包括串聯連接的主抽系統和1臺D30C(萊寶)機械泵9，D30C機械泵9作為預抽泵通過金屬波紋管和GDC-J25B高真空電磁閥10連接鍍膜室6。GDC-J25B高真空電磁閥10作為預抽閥與第一主抽管路并聯連接構成主抽系統，第一主抽管路包括依次串聯連接的CCD-150超高真空電動插板閥11、TV-551(安捷倫)分子泵12和前級閥13，CCD-150超高真空電動插板閥11為主抽閥與直流射頻磁控濺射鍍膜室6連接。D30C(萊寶)機械泵9兼作為分子泵12的前級泵。該套系統可在30分鐘內從大氣抽至6.7×10^-4Pa，極限真空度達到6.7×10^-6Pa的真空指標。結合圖1和圖2，直流射頻磁控濺射鍍膜室6包括本體1，在本體1的頂蓋法蘭中心左、右、后側夾角90°處安裝3個磁控濺射靶2，本體內自上往下依次設有擋板3、基片架4和加熱器5。擋板3由設置在本體1頂部的電機通過磁流體密封驅動旋轉，基片架4由設置在本體底部的電機通過磁流體密封驅動旋轉。擋板3為遮蔽基片架的圓形薄板，擋板3上與3個磁控濺射靶2相應的位置設有鍍膜孔3a，加熱器5固定設置于基片架4下方用于輻射加熱基片架4。