[實用新型]直流射頻磁控濺射鍍膜室及直流射頻磁控濺射鍍膜系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420867385.7
• 申請日: 2014-12-31
• 公開（公告）號: CN204417582U
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發(fā)明（設計）人: 戴建新
• 申請（專利權）人: 常熟市虞華真空設備科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 張俊范

1.一種直流射頻磁控濺射鍍膜室，包括本體(1)，其特征在于：所述本體(1)頂部設有若干濺射靶(2)，本體(1)內自上往下依次設有擋板(3)、基片架(4)和加熱器(5)，所述擋板(3)由設置在本體(1)頂部的電機驅動旋轉，所述基片架(4)由設置在本體(1)底部的電機驅動旋轉，所述擋板(3)為遮蔽基片架的圓形薄板，所述擋板(3)設有若干鍍膜孔(3a)，所述加熱器(5)固定設置于基片架(4)下方用于輻射加熱基片架(4)。

2.根據權利要求1所述的直流射頻磁控濺射鍍膜室，其特征在于：所述鍍膜孔(3a)設有三個。

3.一種直流射頻磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，包括權利要求1或2所述的直流射頻磁控濺射鍍膜室(6)，其特征在于：所述直流射頻磁控濺射鍍膜室(6)分別連接充氣系統(tǒng)(7)和抽氣系統(tǒng)(8)，所述抽氣系統(tǒng)(8)包括串聯連接的主抽系統(tǒng)和預抽泵(9)，所述主抽系統(tǒng)包括并聯連接的第一主抽管路和預抽閥(10)，所述第一主抽管路包括一次串聯連接的主抽閥(11)、分子泵(12)和前級閥(13)，所述主抽閥(11)與直流射頻磁控濺射鍍膜室(6)連接。

4.根據權利要求3所述的直流射頻磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于：所述充氣系統(tǒng)(7)包括串聯連接的混氣閥(14)、混氣罐(15)和若干氣源(16)，所述混氣閥(14)與直流射頻磁控濺射鍍膜室(6)連接。