[實(shí)用新型]用于安置基板的裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420857302.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204959030U | 公開(公告)日: | 2016-01-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | A.博伊德;O.費(fèi)龍;陳曉軍;K.L.格林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 艾克斯特朗歐洲公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/458 | 分類號(hào): | C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 侯宇 |
| 地址: | 德國(guó)黑*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 安置 裝置 | ||
1.一種用于安置基板的裝置,具有多個(gè)布置在水平面內(nèi)的、分別被支承圓(6)圍繞的、分別用于圓盤狀基板(3)的支承座(4),所述裝置還具有多個(gè)在相鄰的支承座(4)之間布置的支架(2、12),所述支架(2、12)空間上相互分隔并且具有定心側(cè)面(5),所述定心側(cè)面(5)分別沿著位于水平面內(nèi)的圓弧線延伸,其中,多個(gè)分別位于支承座(4)側(cè)面且分別配屬于相互不同的支架(2、12)的定心側(cè)面(5)各自構(gòu)成貼靠位置(7),用于接觸地貼靠所述基板(3)的邊緣(3’)的部段,其特征在于,多個(gè)分別位于支承座(4)側(cè)面的定心側(cè)面(5)沿著相互不同的圓弧線延伸,該圓弧線的半徑(RP)分別大于所述支承圓(6)的半徑(RW),并且所述定心側(cè)面(5)僅在相應(yīng)的貼靠位置(7)上與所述支承圓(6)相切。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述定心側(cè)面(5)的半徑(RP)比所述支承圓(6)的半徑(RW)大5%至10%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置,其特征在于,所述定心側(cè)面(5)繞著所述支承圓(6)的圓心最多在20°至40°的圓弧角上延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述貼靠位置(7)位于各個(gè)定心側(cè)面(5)的中間,使得所述定心側(cè)面(5)與所述支承圓(6)的圓心(8)的間距在所述支承圓(6)的兩個(gè)周向上隨著距所述貼靠位置(7)越來(lái)越遠(yuǎn)而不斷增大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述支承座(4)具有凹穴(11),所述凹穴(11)的最大深度在20μm至60μm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,在所述貼靠位置(7)上在所述支承圓(6)以內(nèi)布置有局部放置區(qū)(10),用于點(diǎn)狀地在邊緣支承所述基板(3)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,其特征在于,所述放置區(qū)(10)直接布置在所述支承圓(6)的邊緣上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置,其特征在于,所述放置區(qū)(10)繞所述支承圓(6)的圓心在3°至10°的圓弧角上延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置,其特征在于,所述凹穴(11)具有至少一個(gè)圓形的邊緣(13),該邊緣(13)繞所述支承圓(6)的圓心沿圓弧線延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置,其特征在于,所述凹穴(11)具有多個(gè)臺(tái)階。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述支架(2、12)具有三個(gè)或四個(gè)定心側(cè)面(5)并且具有三邊或四邊的對(duì)稱結(jié)構(gòu)。
12.一種用于安置基板的裝置,具有布置在水平面內(nèi)的、分別用于圓盤形基板(3)的支承座(4),其中,至少一個(gè)位于所述裝置的邊緣附近的支承座(4)這樣設(shè)計(jì)并且具有凹穴(11),從而在位于所述支承座(4)上的所述基板(3)的下方構(gòu)成空腔(17),所述空腔(17)具有邊緣區(qū)域,所述邊緣區(qū)域的豎直深度朝著支承圓的圓心的方向變大,其特征在于,所述空腔(17)的邊緣區(qū)域具有不同于旋轉(zhuǎn)對(duì)稱結(jié)構(gòu)的延伸走向,其中,在相對(duì)于所述支承座(4)的圓心(8)的相等徑向距離(R1、R2)處,在朝向所述裝置的邊緣(1’)的邊緣區(qū)域(R2)中的豎直高度(H)小于在遠(yuǎn)離所述裝置的邊緣(1’)的邊緣區(qū)域(R1)中的豎直高度(H)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置,其特征在于,所述支承座(4)的底部從其邊緣處開始階梯狀地下降。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的裝置,其特征在于,所述支承座(4)的底部在遠(yuǎn)離所述裝置的邊緣(1’)的邊緣區(qū)域中由臺(tái)階(13、14)構(gòu)成,所述臺(tái)階的邊棱繞所述支承座(4)的圓心(8)沿圓弧線延伸,并且所述臺(tái)階的臺(tái)階面(13’、14’、15’)齊平地過(guò)渡至配屬于朝向所述裝置的邊緣(1’)的邊緣區(qū)域且其邊棱沿割線延伸的臺(tái)階(13、14)的臺(tái)階面(13’、14’、15’)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的裝置,其特征在于,水平面具有基面(15’),從基面開始,放置區(qū)(10)豎直向上延伸,而所述凹穴(11)豎直向下延伸,其中,至少一個(gè)位于所述裝置的邊緣(1’)附近的支承座(4)在其朝向所述裝置的邊緣(1’)的側(cè)面上構(gòu)成臺(tái)階(15、16),所述臺(tái)階(15、16)位于所述基面(15’)的豎直上方但位于所述放置區(qū)(10)的豎直下方。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





