[實用新型]一種像素結構和陣列基板

有效

• 申請號: 201420838816.7
• 申請日: 2014-12-24
• 公開（公告）號: CN204288767U
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: 張斌;曹占鋒;孔祥春;姚琪;高錦成;李正亮;何曉龍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種像素結構和陣列基板。

背景技術

量子點(Quantum?Dot，QD)又可稱為納米晶，是一種由II-VI族或III-V族元素組成的納米顆粒，由于電子和空穴被量子限域，連續的能帶結構變成具有分子特性的分立能級結構，受激后可以發射熒光，其發光光譜可以通過改變量子點的尺寸大小來控制，熒光強度和穩定性都很好，是一種很好的電致發光材料。量子點的種類很多，代表性的有II-VI族的CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe等和III-V族GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等。

目前，量子點作為一種顯示材料且已經被廣泛使用在了顯示領域，例如，利用量子點作為發光材料而制造出的發光二極管顯示器(Quantum?Dot?Light?Emitting?Display，QLED)。現有的QLED顯示器采用的結構和有機電致發光顯示器(Organic?Light?Emitting?Display，OLED)相類似，通過TFT通過通斷動作控制QLED顯示器中QLED顯示器件的陰極，以控制QLED顯示器件發光或不發光，即控制QLED顯示器件閃爍。但是，現有技術的QLED顯示器具有如下問題：現有的QLED顯示器是通過驅動電流的不斷變化控制QLED顯示器件的頻繁閃爍，因此會導致電荷注入的不平衡(即，注入的電子和空穴數量不平衡)，長時間的重復該過程會導致量子點化學解離(例如氧化/還原)從而發生變性，使得QLED顯示器件壽命降低；而且，通過TFT通過通斷動作控制QLED顯示器中QLED顯示器件的陰極實現驅動電流的變化控制QLED顯示器件的閃爍的方式，存在電流控制不穩定的問題，需要復雜的補償電路對電流進行補償，因此現有技術的QLED顯示裝置制備難度大。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種像素結構和陣列基板，以解決現有的QLED顯示裝置壽命低且制備工藝難度大的問題。

本實用新型實施例提供一種像素結構，包括：

薄膜晶體管TFT，用于控制微機電系統MEMS開關；

所述微機電系統MEMS開關，用于控制量子點發光二極管QLED器件的出射光的透過量；

所述量子點發光二極管QLED器件為頂發射型，用于根據恒定發光驅動信號進行恒定發光。

本實用新型實施例中，在像素結構中增加所述MEMS開關，所述TFT控制MEMS開關的工作狀態，以控制所述QLED器件的出射光的透過量。

可選地，所述TFT的漏電極與所述MEMS開關電性連接，所述TFT導通后根據自身的源電極接收的信號控制所述MEMS開關。本實施例中，所述MEMS開關的工作狀態根據所述TFT的導通/關斷狀態和所接收的信號進行變換或調整，從而控制所述QLED器件的出射光的透過量。

可選的，所述MEMS開關包括連接部和開關部，所述連接部與所述TFT的漏電極電性連接，所述開關部設置于所述QLED器件的出光方向一側以控制所述QLED器件的出射光的光量。本實施例中，所述MEMS開關的開關部設置于所述QLED器件的出光方向上，可以根據自身開合的幅度控制透過QLED器件的出射光的光量。

可選的，所述像素結構還包括遮光條，所述遮光條位于所述MEMS開關的靠近所述QLED器件一側的邊緣處的下方。本實用新型實施例中，所述遮光條可以遮擋所述MEMS開關的漏光，避免顯示異常。

可選的，所述像素結構還包括第一導電結構，所述MEMS開關通過所述第一導電結構與所述TFT的漏電極電性連接。

可選的，所述TFT的漏電極與所述MEMS開關的連接部之間設置有絕緣層，所述第一導電結構通過所述絕緣層上的第一過孔與所述TFT的漏電極電性連接。本實用新型實施例中，所述絕緣層上形成的所述第一過孔，使所述第一導電結構和所述漏電極能夠實現電性連接。

可選的，所述遮光條與所述第一導電結構同層設置且彼此絕緣，所述第一導電結構和所述遮光條的材料為金屬材料。本實用新型實施例中，所述遮光條和所述第一導電結構同層設置，在制備時可以節省工序。

本實用新型實施例有益效果如下：在顯示裝置工作時，所述TFT控制MEMS開關的工作狀態，以控制所述QLED器件的出射光的透過量，避免QLED器件的頻繁閃爍，提高所述QLED器件的使用壽命。