[實用新型]一種像素結構和陣列基板

有效

• 申請號: 201420838816.7
• 申請日: 2014-12-24
• 公開（公告）號: CN204288767U
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: 張斌;曹占鋒;孔祥春;姚琪;高錦成;李正亮;何曉龍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種像素結構，其特征在于，包括：

薄膜晶體管TFT，用于控制微機電系統MEMS開關；

所述微機電系統MEMS開關，用于控制量子點發光二極管QLED器件的出射光的透過量；

所述量子點發光二極管QLED器件為頂發射型，用于根據恒定發光驅動信號進行恒定發光。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述TFT的漏電極與所述MEMS開關電性連接，所述TFT導通后根據自身的源電極接收的信號控制所述MEMS開關。

3.如權利要求2所述的像素結構，其特征在于，所述MEMS開關包括連接部和開關部，所述連接部與所述TFT的漏電極電性連接，所述開關部設置于所述QLED器件的出光方向一側以控制所述QLED器件的出射光的光量。

4.如權利要求3所述的像素結構，其特征在于，所述像素結構還包括遮光條，所述遮光條位于所述MEMS開關的靠近所述QLED器件一側的邊緣處的下方。

5.如權利要求4所述的像素結構，其特征在于，所述像素結構還包括第一導電結構，所述MEMS開關通過所述第一導電結構與所述TFT的漏電極電性連接。

6.如權利要求5所述的像素結構，其特征在于，所述TFT的漏電極與所述MEMS開關的連接部之間設置有絕緣層，所述第一導電結構通過所述絕緣層上的第一過孔與所述TFT的漏電極電性連接。

7.如權利要求6所述的像素結構，其特征在于，所述遮光條與所述第一導電結構同層設置且彼此絕緣，所述第一導電結構和所述遮光條的材料為金屬材料。

8.一種陣列基板，包括陣列排布的多個像素單元，其特征在于，每一所述像素單元采用如權利要求1至7任一項的所述像素結構。