[實用新型]一種LPCVD沉積裝置

有效

• 申請號: 201420836386.5
• 申請日: 2014-12-19
• 公開（公告）號: CN204325493U
• 公開（公告）日: 2015-05-13
• 發明（設計）人: 丁波;李軼;陳瀚;侯金松
• 申請（專利權）人: 上海微世半導體有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C30B25/12
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 張堅

1.一種LPCVD沉積裝置，包括爐管、環繞設置在爐管外的電加熱絲以及設于爐管內的載片舟、真空檢測儀、溫度傳感器，所述爐管一端具有進氣口，連接供氣裝置，另一端具有出氣口，連接真空泵；所述真空檢測儀、所述溫度傳感器、所述電加熱絲的供電裝置、所述供氣裝置以及所述真空泵均電連接控制器，其特征在于：所述載片舟由殼體以及設于殼體內的的載片支架構成，所述殼體上均勻分布有通孔。

2.根據權利要求1所述的LPCVD沉積裝置，其特征在于：所述殼體為筒狀殼體，所述筒狀殼體的殼身和兩端的端蓋上均均勻分布有通孔。

3.根據權利要求1所述的LPCVD沉積裝置，其特征在于：所述通孔為圓孔，孔徑優選5mm。

4.根據權利要求2所述的LPCVD沉積裝置，其特征在于：所述殼身的底部還具有支撐腳。

5.根據權利要求4所述的LPCVD沉積裝置，其特征在于：所述支撐腳為一對長條型支撐腳。

6.根據權利要求1所述的LPCVD沉積裝置，其特征在于：所述載片支架由一對圓柱構成，所述一對圓柱上分布有對稱的凹槽。

7.根據權利要求6所述的LPCVD沉積裝置，其特征在于：所述凹槽寬度為1mm，所述凹槽間距為5mm。

8.根據權利要求2所述的LPCVD沉積裝置，其特征在于：所述端蓋的內徑與所述殼身的外徑相同。

9.根據權利要求1所述的LPCVD沉積裝置，其特征在于：所述殼體的材質為石英或碳化硅。