[實用新型]一種陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201420833783.7 | 申請日: | 2014-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN204257646U | 公開(公告)日: | 2015-04-08 |
| 發明(設計)人: | 胡春靜;王輝鋒 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,所述陣列基板包括:襯底基板,形成在所述襯底基板上的第一電極層,形成在所述第一電極層上的像素界定層,所述像素界定層具有使所述第一電極層暴露的開口,形成在所述第一電極層上與所述開口區域對應的有機材料功能層,所述第一電極層與所述開口對應的區域包括:第一區域和第二區域,所述第一區域為與所述像素界定層連接的區域,所述第二區域為所述第一電極層與所述開口對應區域中除所述第一區域以外的區域,其特征在于,
所述第一電極層的所述第一區域為第一弧形結構,所述第一弧形結構朝向所述襯底基板突出。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述第一電極層的所述第二區域為第二弧形結構,所述第二弧形結構朝向所述襯底基板突出;
所述第二弧形結構與所述第一弧形結構平滑連接。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述第一電極層的所述第二區域為平坦結構;
所述平坦結構與所述第一弧形結構平滑連接。
4.根據權利要求1~3任一所述的陣列基板,其特征在于,
所述第一電極層上與所述像素界定層對應的區域為平坦結構。
5.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述有機材料功能層上與所述第一電極層的第一區域對應的區域為第三弧形結構,所述第三弧形結構朝向所述襯底基板突出。
6.根據權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,
所述有機材料功能層上與所述第一電極層的第二區域對應的區域為第四弧形結構,所述第四弧形結構朝向所述襯底基板突出;
所述第四弧形結構與所述第三弧形結構平滑連接。
7.根據權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,
所述有機材料功能層上與所述第一電極層的第二區域對應的區域為平坦結構;
所述平坦結構與所述第三弧形結構平滑連接。
8.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括設置在所述第一電極層下,且緊鄰所述第一電極層的緩沖層,其中:
所述緩沖層與所述第一電極層的第一區域對應的區域為第五弧形結構,所述第五弧形結構朝向所述襯底基板突出。
9.根據權利要求8所述的陣列基板,其特征在于,
所述緩沖層與所述第一電極層的第二區域對應的區域為第六弧形結構,所述第六弧形結構朝向所述襯底基板突出;
所述第六弧形結構與所述第五弧形結構平滑連接。
10.根據權利要求8所述的陣列基板,其特征在于,
所述緩沖層與所述第一電極層的第二區域對應的區域為平坦結構;
所述平坦結構與所述第五弧形結構平滑連接。
11.根據權利要求8~10任一所述的陣列基板,其特征在于,
所述緩沖層上與所述像素界定層對應的區域為平坦結構。
12.根據權利要求1~3任一所述的陣列基板,其特征在于,
所述像素界定層的上表面與所述第一電極層的最底部的上表面之間的距離小于或者等于1.5um。
13.根據權利要求1~3任一所述的陣列基板,其特征在于,
所述第一電極層的厚度為30-200nm。
14.根據權利要求1~3任一所述的陣列基板,其特征在于,
所述像素界定層的材料為疏液性的材料。
15.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括權利要求1~14任一所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





