[實用新型]一種陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201420833783.7 | 申請日: | 2014-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN204257646U | 公開(公告)日: | 2015-04-08 |
| 發明(設計)人: | 胡春靜;王輝鋒 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。
背景技術
有機電致發光器件(organic?electroluminescent?device,簡稱OLED)相對于液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display,簡稱LCD)具有自發光、反應快、視角廣、亮度高、色彩艷、輕薄等優點,是下一代顯示技術。OLED的成膜方式主要有蒸鍍制程和溶液制程,蒸鍍制程在小尺寸應用較為成熟,目前該技術已經應用于量產中。而溶液制程的成膜方式主要有噴墨打印、噴嘴涂覆、旋涂、絲網印刷等,由于噴墨打印技術的材料利用率較高,可以實現大尺寸化,是目前大尺寸OLED實現量產的重要方式。現有的制作OLED的工藝中需要預先在基板的電極上制作像素界定層(pixel?defining?layer,簡稱PDL),以便于墨滴可以精確的流入相應的RGB亞像素區中。
現有技術中的OLED的PDL的截面形狀以正梯形為主,同時為了保證墨滴在氧化銦錫(Indium?tin?oxide,簡稱ITO)像素內鋪展不溢出到像素外的PDL區域,PDL多采用表面能較小的疏液型材料。但是由于墨滴與PDL接觸處兩者之間的表面能差異和PDL的坡角,靠近PDL邊緣的墨滴中的溶劑揮發的較快,這樣墨滴最終干燥后會形成邊緣厚,中間薄的不均勻薄膜,即出現咖啡環效應。由于咖啡環效應的存在,最終形成的顯示器件中的有機材料功能層的各個膜層中,每個膜層各自的膜層厚度在靠近PDL處會出現不均一的問題。具體如圖1中所示,有機材料功能層5中的區域51處會出現膜層厚度不均一的問題,從而使得顯示器件的亮度不均勻,影像顯示器的畫面的顯示質量。
實用新型內容
本實用新型的實施例提供一種陣列基板和顯示裝置,解決了現有的顯示器結構中的有機材料功能層的各個膜層中,每個膜層各自的膜層厚度在靠近像素界定層處會出現不均一的問題,避免出現顯示器的亮度不均勻,提高了顯示器的畫面的顯示質量。
為達到上述目的,本實用新型的實施例采用如下技術方案:
第一方面,提供一種陣列基板,所述陣列基板包括:襯底基板;形成在所述襯底基板上的第一電極層,形成在所述第一電極層上的像素界定層,所述像素界定層具有使所述第一電極層暴露的開口,形成在所述第一電極層上與所述開口區域對應的有機材料功能層,所述第一電極層與所述開口對應的區域包括:第一區域和第二區域,所述第一區域為與所述像素界定層連接的區域,所述第二區域為所述第一電極層與所述開口對應區域中除所述第一區域以外的區域,其中:
所述第一電極層的所述第一區域為第一弧形結構,所述第一弧形結構朝向所述襯底基板突出。
可選的,所述第一電極層的所述第二區域為第二弧形結構,所述第二弧形結構朝向所述襯底基板突出;
所述第二弧形結構與所述第一弧形結構平滑連接。
可選的,所述第一電極層的所述第二區域為平坦結構;
所述平坦結構與所述第一弧形結構平滑連接。
可選的,所述第一電極層與所述像素界定層對應的區域為平坦結構。
可選的,所述有機材料功能層上與所述第一電極層的第一區域對應的區域為第三弧形結構,所述第三弧形結構朝向所述襯底基板突出。
可選的,所述有機材料功能層上與所述第一電極層的第二區域對應的區域為第四弧形結構,所述第四弧形結構朝向所述襯底基板突出;
所述第四弧形結構與所述第三弧形結構平滑連接。
可選的,所述有機材料功能層上與所述第一電極層的第二區域對應的區域為平坦結構;
所述平坦結構與所述第三弧形結構平滑連接。
可選的,所述陣列基板還包括設置在所述第一電極層下,且緊鄰所述第一電極層的緩沖層,其中:
所述緩沖層與所述第一電極層的第一區域對應的區域為第五弧形結構,所述第五弧形結構朝向所述襯底基板突出。
可選的,所述緩沖層與所述第一電極層的第二區域對應的區域為第六弧形結構,所述第六弧形結構朝向所述襯底基板突出;
所述第六弧形結構與所述第五弧形結構平滑連接。
可選的,所述緩沖層與所述第一電極層的第二區域對應的區域為平坦結構;
所述平坦結構與所述第五弧形結構平滑連接。
可選的,所述緩沖層上與所述像素界定層對應的區域為平坦結構。
可選的,所述像素界定層的上表面與所述第一電極層的最底部的上表面之間的距離小于或者等于1.5um。
可選的,所述第一電極層的厚度為30-200nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





