[實(shí)用新型]一種硅片劃片盤的結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420833715.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204289394U | 公開(公告)日: | 2015-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高寶華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 常州銀河電器有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;B28D5/00 |
| 代理公司: | 常州市天龍專利事務(wù)所有限公司 32105 | 代理人: | 夏海初 |
| 地址: | 213022 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 硅片 劃片 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型具體涉及一種硅片劃片盤的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的硅片是利用劃片機(jī)實(shí)施劃片工藝,而劃片機(jī)的劃片盤的一面只有4個(gè)或者是7個(gè)工位,也就是說一片劃片盤一次只能對(duì)4個(gè)或7個(gè)硅片實(shí)施劃片處理,這樣,并未有效利用劃片機(jī)走刀的全部行程,因此,浪費(fèi)了劃片的有效工作時(shí)間,導(dǎo)致劃片效率低,使得生產(chǎn)成本較高。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是:提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,且能提高劃片效率的硅片劃片盤的結(jié)構(gòu),以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。
為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型的技術(shù)方案:一種硅片劃片盤的結(jié)構(gòu),包括基板,包括基板,所述基板的一面有多個(gè)工位;而其:
所述基板有可與真空泵管路連接且呈米字形分開布置的第一流道、第二流道、第三流道和第四流道;
所述基板的一面有第一工位、第二工位、第三工位、第四工位、第五工位、第六工位、第七工位、第八工位和第九工位,且基板一面的九個(gè)工位是呈3×3矩陣式排布的;
所述第一工位、第二工位、第三工位、第四工位、第五工位、第六工位、第七工位、第八工位和第九工位各自具有沿徑向呈直線布置的若干個(gè)沉孔,所述第一工位的若干個(gè)沉孔和第五工位的若干個(gè)沉孔分別與第一流道相連通,所述第二工位的若干個(gè)沉孔和第六工位的若干個(gè)沉孔分別與第二流道相連通,所述第三工位的若干個(gè)沉孔和第七工位的若干個(gè)沉孔分別與第三流道相連通,所述第四工位的若干個(gè)沉孔、第八工位的若干個(gè)沉孔分別與第四流道相連通;
所述基板的另一面有與第一流道、第二流道、第三流道和第四流道以及第九工位中心沉孔分別相連通的軸向通孔。
在上述技術(shù)方案中,所述第一工位、第二工位、第三工位、第四工位、第五工位、第六工位、第七工位、第八工位和第九工位分別設(shè)有若干個(gè)沿徑向等間距分開布置的圓環(huán)形凹槽,且所述的沉孔分別設(shè)在相應(yīng)的圓環(huán)形凹槽內(nèi)。
在上述技術(shù)方案中,所述基板的另一面還有若干個(gè)弧形定位凸臺(tái),且若干個(gè)弧形定位凸臺(tái)位于軸向通孔的外周且沿同一半徑的圓周方向均勻布置。
在上述技術(shù)方案中,所述基板另一面有5個(gè)軸向通孔,且其中1個(gè)軸向通孔與第九工位中心沉孔相連通且該個(gè)軸向通孔位于基板的中心,而剩余四個(gè)軸向通孔位于基板中心的軸向通孔的外周且呈圓周方向分開布置。
在上述技術(shù)方案中,所述基板呈圓形,或者是多邊形。
本實(shí)用新型所具有的積極效果是:由于采用上述劃片盤后,使用時(shí),每個(gè)劃片盤的九個(gè)工位分別裝有硅片,且劃片機(jī)的真空泵與劃片盤的軸向通孔管路連接,這樣,實(shí)現(xiàn)了四個(gè)流道與真空泵管路連接,使得硅片緊緊被吸附在工位上,并且確保硅片在劃片過程中不會(huì)發(fā)生移位現(xiàn)象,因此,本實(shí)用新型的劃片盤一次可對(duì)九個(gè)硅片同時(shí)實(shí)施劃片處理,充分利用了走刀的有效工作行程,使得生產(chǎn)效率高。實(shí)現(xiàn)了本實(shí)用新型的目的。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型一種具體實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是圖1的后視圖;
圖3是圖1的A-A剖視圖;
圖4是圖3的B-B剖視示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖以及給出的實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明,但并不局限于此。
如圖1、2、3、4所示,一種硅片劃片盤的結(jié)構(gòu),包括基板1,而其:包括基板1,所述基板1的一面有多個(gè)工位;而其:
所述基板1有可與真空泵管路連接且呈米字形分開布置的第一流道1-1、第二流道1-2、第三流道1-3和第四流道1-4;
所述基板1的一面有第一工位2、第二工位3、第三工位4、第四工位5、第五工位6、第六工位7、第七工位8、第八工位9和第九工位10,且基板1一面的九個(gè)工位是呈3×3矩陣式排布的;
所述第一工位2、第二工位3、第三工位4、第四工位5、第五工位6、第六工位7、第七工位8、第八工位9和第九工位10各自具有沿徑向呈直線布置的若干個(gè)沉孔2-1、3-1、4-1、5-1、6-1、7-1、8-1、9-1、10-1,所述第一工位2的若干個(gè)沉孔2-1和第五工位6的若干個(gè)沉孔6-1分別與第一流道1-1相連通,所述第二工位3的若干個(gè)沉孔3-1和第六工位7的若干個(gè)沉孔7-1分別與第二流道1-2相連通,所述第三工位4的若干個(gè)沉孔4-1和第七工位8的若干個(gè)沉孔8-1分別與第三流道1-3相連通,所述第四工位5的若干個(gè)沉孔5-1、第八工位9的若干個(gè)沉孔9-1分別與第四流道1-4相連通;
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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