[實用新型]一種三級磁控濺射鍍膜裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420826210.1
• 申請日: 2014-12-22
• 公開（公告）號: CN204369976U
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發(fā)明（設計）人: 陳五奎;雷曉全;柯濤
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市拓日新能源科技股份有限公司;陜西拓日新能源科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

技術(shù)領域

本實用新型涉及鍍膜技術(shù)領域，尤其涉及一種三級磁控濺射鍍膜裝置。

背景技術(shù)

磁控濺射屬于輝光放電范疇，利用陰極濺射原理進行鍍膜。膜層粒子來源于輝光放電中，氬離子對陰極靶材產(chǎn)生的陰極濺射作用。氬離子將靶材原子濺射下來后，沉積到元件表面形成所需膜層。磁控原理就是采用正交電磁場的特殊分布控制電場中的電子運動軌跡，使得電子在正交電磁場中變成了擺線運動，因而大大增加了與氣體分子碰撞的幾率。目前現(xiàn)有技術(shù)中的均采用立式鍍膜，因此膜面的平整度不均勻，并且傳統(tǒng)的用于氮化硅沉積的磁控濺射鍍膜設備控制比較困難，且難以達到需要的鍍膜效果。

實用新型內(nèi)容：

為解決上述現(xiàn)有技術(shù)缺陷，本實用新型的目的在于提供一種三級磁控濺射鍍膜裝置，本設備采用三級鍍膜室，并在各鍍膜室前段和后端以及各鍍膜室相連段均設置有壓力泵閥，調(diào)節(jié)不同的鍍膜壓力，使得鍍膜均勻，鍍膜效果顯著。

一種三級磁控濺射鍍膜裝置，包括，箱體以及設置在箱體上的觀察窗，其特征在于，所述箱體由一級鍍膜室、二級鍍膜室和三級鍍膜室組成，各鍍膜室前段和后端以及中間連接段均設置有壓力泵閥。

優(yōu)選的，所述一級鍍膜室、二級鍍膜室和三級鍍膜室分別設置有鍍膜傳動軸。

優(yōu)選的，所述壓力泵閥有4個。

優(yōu)選的，所述觀察窗設置有3個。

優(yōu)選的，所述一級鍍膜室、二級鍍膜室和三級鍍膜室分別設置有2個鍍膜傳動軸。

附圖說明

圖1為本實用新型三級磁控濺射鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

具體實施方式

為了本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本實用新型的實施例，本領域的技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲取的其他實施例，都屬于實用新型的保護范圍。

本實用新型的目的在于提供一種三級磁控濺射鍍膜裝置，包括，箱體1以及設置在箱體1上的三個觀察窗2，其中，所述箱體1由一級鍍膜室3、二級鍍膜室4和三級鍍膜室5組成，各鍍膜室前段和后端以及中間連接段均設置有壓力泵閥6，并在所述一級鍍膜室3、二級鍍膜室4和三級鍍膜室5分別設置有兩個鍍膜傳動軸7。

工作時，先設置好各壓力泵閥6的閾值，每一級鍍膜室的壓力各不相同，所需鍍膜的氮化硅薄膜經(jīng)一級鍍膜室3，當一級鍍膜室3壓力和二級鍍膜室4平衡的時候，進入二級鍍膜室4，當二級鍍膜室4壓力和三級鍍膜室5平衡的時候，進入三級鍍膜室5，三級鍍膜后，鍍膜完成。