[實用新型]柔性襯底有效
| 申請號： | 201420824856.6 | 申請日： | 2014-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN204441338U | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發明（設計）人： | 薛慕蓉;陳紅;吳偉力 | 申請（專利權）人： | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凱 |
| 地址： | 215300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柔性 襯底 | ||
【權利要求書】：
1.一種柔性襯底，其特征在于，包括依次層疊的第一聚合物層、第一硅保護層、原子層沉積膜、第二硅保護層及第二聚合物層。
2.根據權利要求1所述的柔性襯底，其特征在于，所述第一聚合物層及第二聚合物層為聚酰亞胺層、聚碳酸酯層、聚對苯二甲酸乙二醇酯層、聚荼二甲酸乙二醇酯層或聚醚砜層。
3.根據權利要求1所述的柔性襯底，其特征在于，所述原子層沉積膜的厚度為0.5～1μm，所述第一聚合物層和第二聚合物層的厚度為5～10μm，所述第一硅保護層和第二硅保護層的厚度為0.5～1μm。
4.根據權利要求1所述的柔性襯底，其特征在于，所述第一硅保護層和第二硅保護層為氮化硅或二氧化硅層。
5.根據權利要求1所述的柔性襯底，其特征在于，所述原子層沉積膜為氧化鋁原子層沉積膜。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于昆山國顯光電有限公司，未經昆山國顯光電有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420824856.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
