[實(shí)用新型]一種陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420822046.7
• 申請(qǐng)日: 2014-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN204243045U
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石磊;許曉偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及顯示工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

在LCD(液晶顯示器)或OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器中，每個(gè)像素點(diǎn)都是由集成在像素點(diǎn)后面的TFT(Thin?Film?Transistor，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)來驅(qū)動(dòng)，從而可以做到高速度、高亮度、高對(duì)比度的顯示屏幕信息。在現(xiàn)在的生產(chǎn)技術(shù)中，多采用多晶硅或非晶硅來制造TFT。多晶硅的載流子遷移率為10-200cm2/V，明顯高于非晶硅的載流子遷移率(1cm2/V)，所以多晶硅相對(duì)于非晶硅具有更高的電容性和存儲(chǔ)性。

對(duì)于LCD和OLED，TFT一般形成于玻璃基板上，由于玻璃的熱力學(xué)限制，多晶硅TFT的結(jié)晶特性及離子注入后退火的過程往往不能得到有效的恢復(fù)，則在反偏電壓的情況下會(huì)出現(xiàn)較大的漏電流，影響TFT的正常使用。

為了抑制TFT的漏電流，一般采用在TFT的柵極和源、漏極間進(jìn)行輕摻雜的方式，尤其是在一些短溝道的情況下，輕摻雜漏區(qū)(Lightly?Doped?Drain，LDD)的寬度范圍僅為0.3-1μm。在TFT正常工作時(shí)，往往開態(tài)電流會(huì)受到影響，導(dǎo)致正常工作的TFT電阻過大，功耗增大。

實(shí)用新型內(nèi)容

(一)所要解決的技術(shù)問題

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板及顯示裝置，以克服現(xiàn)有技術(shù)中TFT關(guān)態(tài)電流較強(qiáng)，導(dǎo)致TFT工作時(shí)由于LDD結(jié)構(gòu)而導(dǎo)致開態(tài)電流降低的TFT結(jié)構(gòu)。

(二)技術(shù)內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型一方面提供一種陣列基板包括基板，所述基板上依次設(shè)有第一柵極、第一柵絕緣層，所述第一柵絕緣層上設(shè)有有源層，所述有源層上依次設(shè)有第二柵絕緣層、第二柵極、第三柵絕緣層和源漏電極，所述源漏電極在第三柵絕緣層上；

所述有源層與第二柵極相對(duì)應(yīng)的區(qū)域的外側(cè)分別為源漏輕摻雜區(qū)域和源漏重?fù)诫s區(qū)域，其中，源輕摻雜區(qū)域和漏輕摻雜區(qū)域緊挨第二柵極，源重?fù)诫s區(qū)域緊挨所述源輕摻雜區(qū)域并且所述漏重?fù)诫s區(qū)域緊挨所述漏輕摻雜區(qū)域，所述源、漏電極與所述源、漏重?fù)诫s區(qū)域電連接；

其中，所述第一柵極設(shè)置于所述漏電極所對(duì)應(yīng)區(qū)域的漏輕摻雜區(qū)域下方或所述第一柵極分為兩個(gè)部分，分別設(shè)置于所述源、漏電極對(duì)應(yīng)區(qū)域的輕摻雜區(qū)域下方。

優(yōu)選地，所述有源層為由非晶化的氧化物通過晶化處理后的多晶狀態(tài)有源層。

優(yōu)選地，所述有源層為低溫多晶硅。

優(yōu)選地，所述第三柵絕緣層和第二柵絕緣層上設(shè)有過孔，所述源、漏電極通過過孔與源、漏重?fù)诫s區(qū)域接觸連接。

優(yōu)選地，所述基板和第一柵極之間還設(shè)有緩沖層。

另一方面，本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

(三)有益效果

本實(shí)用新型提供一種陣列基板及顯示裝置，通過LDD結(jié)構(gòu)降低TFT關(guān)態(tài)漏電流，同時(shí)通過底柵結(jié)構(gòu)提高TFT開態(tài)電流的效果，提高產(chǎn)品良品率。

附圖說明

圖1～圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例一陣列基板制作流程步驟示意圖；

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例二陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例一陣列基板制作方法流程圖。

其中：

1：基板；2：緩沖層；3：第一柵極；4：第一柵絕緣層；5：有源層；6：第二柵絕緣層；7：第二柵極；8：光刻膠；91：源輕摻雜區(qū)域；92：源重?fù)诫s區(qū)域；101：漏輕摻雜區(qū)域；102：漏重?fù)诫s區(qū)域；11：第三柵絕緣層；12：源電極；13：漏電極；14：CD偏差。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不是用來限制本實(shí)用新型的范圍。

實(shí)施例1

如圖6所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板，包括基板1，所述基板1上設(shè)有緩沖層2、第一柵極3(即底柵)和第一柵絕緣層4，所述第一柵絕緣層4上設(shè)有有源層5，所述有源層5上依次設(shè)有第二柵絕緣層6、第二柵極7(即頂柵)、第三柵絕緣層11和源漏電極12，該源漏電極12在第三柵絕緣層11上。該有源層5與第二柵極7相對(duì)應(yīng)的區(qū)域的外側(cè)分別為源、漏輕摻雜區(qū)域91和101以及源、漏重?fù)诫s區(qū)域92和102，其中，該源輕摻雜區(qū)域91和漏輕摻雜區(qū)域101緊挨第二柵極7，源重?fù)诫s區(qū)域92緊挨所述源輕摻雜區(qū)域91并且所述漏重?fù)诫s區(qū)域102緊挨所述漏輕摻雜區(qū)域101。該源、漏電極12和13與所述源、漏重?fù)诫s區(qū)域92和102電連接。