[實(shí)用新型]一種陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420822046.7
• 申請日: 2014-12-22
• 公開（公告）號: CN204243045U
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石磊;許曉偉
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

1.一種陣列基板，其特征在于，包括基板，所述基板上依次設(shè)有第一柵極、第一柵絕緣層，所述第一柵絕緣層上設(shè)有有源層，所述有源層上依次設(shè)有第二柵絕緣層、第二柵極、第三柵絕緣層和源漏電極，所述源漏電極在第三柵絕緣層上；

所述有源層與第二柵極相對應(yīng)的區(qū)域的外側(cè)分別為源漏輕摻雜區(qū)域和源漏重?fù)诫s區(qū)域，其中，源輕摻雜區(qū)域和漏輕摻雜區(qū)域緊挨第二柵極，源重?fù)诫s區(qū)域緊挨所述源輕摻雜區(qū)域并且所述漏重?fù)诫s區(qū)域緊挨所述漏輕摻雜區(qū)域，所述源、漏電極與所述源、漏重?fù)诫s區(qū)域電連接；

其中，所述第一柵極設(shè)置于所述漏電極所對應(yīng)區(qū)域的漏輕摻雜區(qū)域下方或所述第一柵極分為兩個(gè)部分，分別設(shè)置于所述源、漏電極對應(yīng)區(qū)域的輕摻雜區(qū)域下方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層為由非晶化的氧化物通過晶化處理后的多晶狀態(tài)有源層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層為低溫多晶硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第三柵絕緣層和第二柵絕緣層上設(shè)有過孔，所述源、漏電極通過過孔與源、漏重?fù)诫s區(qū)域接觸連接。

5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述基板和第一柵極之間還設(shè)有緩沖層。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的陣列基板。