[實用新型]大功率薄型貼面封裝二極管

有效

• 申請號: 201420810327.0
• 申請日: 2014-12-19
• 公開（公告）號: CN204257665U
• 公開（公告）日: 2015-04-08
• 發明（設計）人: 張力;鐘曉明;安國星
• 申請（專利權）人: 重慶平偉實業股份有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 重慶市前沿專利事務所(普通合伙) 50211
• 代理人: 方洪

技術領域

本實用新型涉及二極管技術領域，特別是大功率薄型貼面封裝二極管。

背景技術

目前，大功率薄型貼面封裝二極管的發展非常迅速，隨著產品線路板小型化的發展趨勢，要求大功率薄型貼面封裝二極管在滿足大功率、小體積的前提下，同時提高正向浪涌能力。

現有的大功率薄型貼面封裝二極管，主要由環氧塑封體、硅芯片、上料片、下料片組成。硅芯片通過焊料焊接在上料片與下料片之間，硅芯片與兩料片除兩料片引出端端頭外均包裹在環氧樹脂注塑成的塑封體內，上料片采用圓狀凸點與硅芯片焊接。該結構在保證產品性能的同時使產品整體尺寸縮小，滿足了大功率、小體積的二極管發展趨勢，但產品存在正向浪涌能力不夠，焊接質量差等問題。

實用新型內容

本實用新型旨在提高大功率薄型貼面封裝二極管的正向浪涌能力和焊接質量。

為此，本實用新型所采用的技術方案為：一種大功率薄型貼面封裝二極管，包括上料片(1)、下料片(2)和硅芯片(3)，所述硅芯片(3)通過焊料焊接在上料片(1)與下料片(2)之間，除上料片(1)的引出端頭、下料片(2)的引出端頭外，所述上料片(1)、下料片(2)、硅芯片(3)均封裝在環氧樹脂注塑成的塑封體(4)內，其特征在于：所述上料片(1)通過向下的方形凸面(1a)與硅芯片(3)焊接，在方形凸面(1a)的中部設置有焊錫上溢孔(1b)，在方形凸面(1a)遠離上料片(1)引出端的一側設置有外展片(1c)，且外展片(1c)高于方形凸面(1a)。

作為上述方案的優選，所述方形凸面(1a)另外兩側的居中位置處設置有缺槽(1d)，能有效地增強上料片的抗機械應力能力。

本實用新型的有益效果：在上料片上將原圓形凸面變為方形凸面，可有效增加上料片與硅芯片的焊接面積，從而提高產品的正向浪涌能力；增設外展片和焊錫上溢孔，使焊錫熔化后向預定位置延展，提升焊接質量；進一步，增設缺槽以增強上料片的抗機械應力能力，從而有效地提升整個產品的性能。

附圖說明

圖1是本實用新型的透視效果圖。

圖2是圖1的俯視圖。

圖3是圖1中上料片的結構示意圖。

圖4是圖1中下料片的結構示意圖。

具體實施方式

下面通過實施例并結合附圖，對本實用新型作進一步說明：

結合圖1—圖4所示，一種大功率薄型貼面封裝二極管，主要由上料片1、下料片2、硅芯片3和塑封體4四部分組成。硅芯片3通過焊料焊接在上料片1與下料片2之間，除上料片1的引出端頭、下料片2的引出端頭外，上料片1、下料片2、硅芯片3均封裝在環氧樹脂注塑成的塑封體4內，以上所述與現有技術相同，在此不再贅述。

區別在于：為了增大上料片1與硅芯片3的焊接面積，上料片1通過向下的方形凸面1a與硅芯片3焊接。為了提升焊接質量，在方形凸面1a的中部設置有焊錫上溢孔1b，焊錫上溢孔1b最好為圓形孔，也可以是橢圓形孔或方形孔；在方形凸面1a遠離上料片1引出端的一側設置有外展片1c，且外展片1c高于方形凸面1a，外展片1c最好為矩形，但不限于矩形，也可以是方形。

另外，為了增強上料片1的抗拉能力，方形凸面1a另外兩側的居中位置處還設置有缺槽1d，缺槽1d最好為半圓形，也可以是矩形等。硅芯片8最好為肖特基硅芯片，上料片1和下料片2均為銅片。

優選尺寸如下：方形凸面1a的寬度為1.0mm，焊錫上溢孔1b的半徑為0.2mm，外展片1c的長度為0.5mm、寬度為1.0mm，缺槽1d的半徑為0.15mm。

通過在上料片1上將原圓形凸面變為方形凸面，能增大上料片1與硅芯片3的焊接面積，假定圓形凸面的直徑為1mm，則其焊接面積為(0.25π)mm²；若設計為方形凸面，假定邊長仍為1mm，則其面積為1mm²，焊錫上溢孔1b半徑為0.2mm，則其面積為(0.04π)mm²，兩側缺槽1d為半圓形，半徑為0.15mm，則其面積為(0.0215π)mm²，所以面積增大為(1-0.04π-0.0215π-0.25π≈0.0214mm²)，因此，使用原圓形凸面上料片的產品正向浪涌極限能力在250A(8.3ms單次脈沖)左右，使用新型結構的上料片的產品正向浪涌能力在280A(8.3ms單次脈沖)左右，可有效提升正向浪涌能力約12％。