[實用新型]大功率薄型貼面封裝二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420810327.0 | 申請日： | 2014-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN204257665U | 公開（公告）日： | 2015-04-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張力;鐘曉明;安國星 | 申請（專利權(quán)）人： | 重慶平偉實業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 重慶市前沿專利事務(wù)所(普通合伙) 50211 | 代理人： | 方洪 |
| 地址： | 重慶市梁平縣*** | 國省代碼： | 重慶;85 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 大功率 貼面 封裝 二極管 | ||
1.一種大功率薄型貼面封裝二極管，包括上料片(1)、下料片(2)和硅芯片(3)，所述硅芯片(3)通過焊料焊接在上料片(1)與下料片(2)之間，除上料片(1)的引出端頭、下料片(2)的引出端頭外，所述上料片(1)、下料片(2)、硅芯片(3)均封裝在環(huán)氧樹脂注塑成的塑封體(4)內(nèi)，其特征在于：所述上料片(1)通過向下的方形凸面(1a)與硅芯片(3)焊接，在方形凸面(1a)的中部設(shè)置有焊錫上溢孔(1b)，在方形凸面(1a)遠離上料片(1)引出端的一側(cè)設(shè)置有外展片(1c)，且外展片(1c)高于方形凸面(1a)。
2.按照權(quán)利要求1所述的大功率薄型貼面封裝二極管，其特征在于：所述方形凸面(1a)另外兩側(cè)的居中位置處設(shè)置有缺槽(1d)。
3.按照權(quán)利要求2所述的大功率薄型貼面封裝二極管，其特征在于：所述外展片(1c)為矩形，焊錫上溢孔(1b)為圓形孔，缺槽(1d)為半圓形。
4.按照權(quán)利要求3所述的大功率薄型貼面封裝二極管，其特征在于：所述方形凸面(1a)的寬度為1.0mm，焊錫上溢孔(1b)的半徑為0.2mm，外展片(1c)的長度為0.5mm、寬度為1.0mm，缺槽(1d)的半徑為0.15mm。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
