[實用新型]半導體測試結構

有效

• 申請號: 201420807322.2
• 申請日: 2014-12-17
• 公開（公告）號: CN204271044U
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 柳會雄;董天化;金嵐;吳亮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體測試結構。

背景技術

隨著以電子通訊技術為代表的現代高科技產業的不斷發展，世界集成電路產業總產值以每年超過30％的速度發展，晶態隨機存儲器(SRAM，Static?Random?Access?Memory)作為一種重要的存儲器件被廣泛應用于數字與通訊電路設計中。SRAM是邏輯電路中一種重要部件，其因為具有功耗小、讀取速度高等優點而廣泛應用于數據的存儲。

在器件的特征尺寸(CD，Critical?Dimension)進入深亞微米階段后，在現有技術的SARM制程中，為了降低多晶硅(Poly)或者擴散層(Diffusion)的阻值，通常會通過硅和金屬在多晶硅或者擴散層表面生成硅化金屬化合物(Salicide)，從而降低電阻。

參考圖1所示，在襯底上形成的規則排布的底層多晶硅1，之后在底層多晶硅1上制備上層多晶硅2，接著在四個底層多晶硅1圍繞的中心區域上的頂層多晶硅2上形成金屬互連電極3。為了減小接觸電阻，在頂層多晶硅2上形成一金屬硅化物，使得金屬硅化物與金屬互聯電極3連接。然而，由于在形成金屬硅化物時，四個底層多晶硅1圍繞的中心區域相對于器件表面凹陷，使得金屬硅化物難以在凹陷處生長，從而導致頂層多晶硅2與金屬互連電極3接觸不良。

實用新型內容

本實用新型的目的在于，提供一種半導體測試結構，可以監測金屬屬硅化物與多晶硅電極之間的接觸。

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種半導體測試結構，包括：

行間距設定為第一預定距離、列間距設定為第二預定距離的2行2N+1列規則排布的第一多晶硅，相鄰的四個所述第一多晶硅的相近的頂點圍繞形成2N列的連接區域；

N列第二多晶硅，所述第二多晶硅位于所述第一多晶硅的上層，第n列所述第二多晶硅連接第2n-1列與第2n列的所述連接區域；

2N列連接塞，所述連接塞位于所述第二多晶硅的上層，位于所述連接區域相對的區域；

N-1列第一金屬，所述第一金屬位于所述連接塞的上層，第n列所述第一金屬連接第2n列與第2n+1列的所述連接塞；

其中，n＝1，2，……，N。

可選的，所述半導體測試結構還可以形成2M行2N+1列所述第一多晶硅，第2m-1行與第2m行的所述第一多晶硅形成有所述第二多晶硅、所述連接塞以及所述第一金屬，第m行所述連接塞與第m+1行所述連接塞的相同頂端的所述連接塞通過第二金屬相連，M行2N列的所述連接塞連接形成蛇形結構，其中，m＝1，2，……，M。

可選的，所述半導體測試結構首尾兩端的所述連接塞分別通過第三金屬連接第一焊墊和第二焊墊。

可選的，所述第二多晶硅表面形成有一鈷硅合金層。

可選的，所述第一預定距離為0.13μm-0.19μm。

可選的，所述第二預定距離為0.10μm-0.12μm。

可選的，所述連接塞的側壁與所述第二多晶硅的臨近的一側壁之間的距離小于等于0.04μm。

可選的，所述連接塞的橫截面積小于0.16μm²。

可選的，所述第一多晶硅的厚度為

可選的，所述第二多晶硅的厚度為

與現有技術相比，本實用新型提供的半導體測試結構，包括：行間距設定為第一預定距離、列間距設定為第二預定距離的2行2N+1列規則排布的第一多晶硅，相鄰的四個所述第一多晶硅的相近的頂點圍繞形成2N列的連接區域；N列第二多晶硅，所述第二多晶硅位于所述第一多晶硅的上層，第n列所述第二多晶硅連接第2n-1列與第2n列的所述連接區域；2N列連接塞，所述連接塞位于所述第二多晶硅的上層，位于所述連接區域相對的區域；N-1列第一金屬，所述第一金屬位于所述連接塞的上層，第n列所述第一金屬連接第2n列與第2n+1列的所述連接塞；其中，n＝1，2，……，N。本實用新型的半導體測試結構，可用于檢測第二多晶硅與連接塞之間的接觸。

附圖說明

圖1為現有技術中多晶硅與接觸連接結構的俯視圖；

圖2為本實用新型第一實施例中所述第一多晶硅的示意圖

圖3為本實用新型第一實施例中半導體測試結構的示意圖；

圖4為本實用新型第一實施例中第二多晶硅、連接塞以及第一金屬之間的連接結構示意圖；

圖5為本實用新型第一實施例中的部分所述半導體測試結構的俯視圖；

圖6為本實用新型第二實施例中半導體測試結構的示意圖；。

具體實施方式