[實用新型]半導體測試結構

有效

• 申請號: 201420807322.2
• 申請日: 2014-12-17
• 公開（公告）號: CN204271044U
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 柳會雄;董天化;金嵐;吳亮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導體測試結構，其特征在于，包括：

行間距設定為第一預定距離、列間距設定為第二預定距離的2行2N+1列規則排布的第一多晶硅，相鄰的四個所述第一多晶硅的相近的頂點圍繞形成2N列的連接區域；

N列第二多晶硅，所述第二多晶硅位于所述第一多晶硅的上層，第n列所述第二多晶硅連接第2n-1列與第2n列的所述連接區域；

2N列連接塞，所述連接塞位于所述第二多晶硅的上層，位于所述連接區域相對的區域；

N-1列第一金屬，所述第一金屬位于所述連接塞的上層，第n列所述第一金屬連接第2n列與第2n+1列的所述連接塞；

其中，n＝1，2，……，N。

2.如權利要求1所述的半導體測試結構，其特征在于，所述半導體測試結構還可以形成2M行2N+1列所述第一多晶硅，第2m-1行與第2m行的所述第一多晶硅形成有所述第二多晶硅、所述連接塞以及所述第一金屬，第m行所述連接塞與第m+1行所述連接塞的相同頂端的所述連接塞通過第二金屬相連，M行2N列的所述連接塞連接形成蛇形結構，其中，m＝1，2，……，M。

3.如權利要求1或2所述的半導體測試結構，其特征在于，所述半導體測試結構首尾兩端的所述連接塞分別通過第三金屬連接第一焊墊和第二焊墊。

4.如權利要求1所述的半導體測試結構，其特征在于，所述第二多晶硅表面形成有一鈷硅合金層。

5.如權利要求1所述的半導體測試結構，其特征在于，所述第一預定距離為0.13μm-0.19μm。

6.如權利要求1所述的半導體測試結構，其特征在于，所述第二預定距離為0.10μm-0.12μm。

7.如權利要求1所述的半導體測試結構，其特征在于，所述連接塞的側壁與所述第二多晶硅的臨近的一側壁之間的距離小于等于0.04μm。

8.如權利要求1所述的半導體測試結構，其特征在于，所述連接塞的橫截面積小于0.16μm²。

9.如權利要求1所述的半導體測試結構，其特征在于，所述第一多晶硅的厚度為。

10.如權利要求1所述的半導體測試結構，其特征在于，所述第二多晶硅的厚度為。