[實用新型]一種具有單層多晶的EEPROM

有效

• 申請號: 201420799496.9
• 申請日: 2014-12-16
• 公開（公告）號: CN204243039U
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發明（設計）人: 方鋼鋒
• 申請（專利權）人: 無錫來燕微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;張濤

1.一種具有多層單晶的EEPROM，包括半導體基板（1）；其特征是：在所述半導體基板（1）內的上部設置若干用于數據存儲的存儲單元，所述存儲單元包括控制電容（30）、PMOS編程晶體管（40）以及與所述PMOS編程晶體管（40）串聯的PMOS選擇晶體管（50）；控制電容（30）通過半導體基板（1）內的隔離介質（5）與PMOS編程晶體管（40）以及PMOS選擇晶體管（50）相隔離；

所述控制電容（30）包括位于半導體基板（1）內的P型阱區（4）以及位于所述P型阱區（4）上方的浮柵電極（9），所述浮柵電極（9）與第一P型阱區（4）間設置有浮柵氧化層（6），所述浮柵氧化層（6）以及浮柵電極（9）還部分覆蓋P型阱區（4）內的第一P+區域（10）；

所述PMOS編程晶體管（40）以及PMOS選擇晶體管（50）均位于半導體基板（1）內的N型阱區（3）內，所述N型阱區（3）通過隔離介質（5）與P型阱區（4）隔離；PMOS編程晶體管（40）包括位于N型阱區（3）上部的第二P+區域（11）以及第四P+區域（19）；控制電容（30）上的浮柵電極（9）延伸至PMOS編程晶體管（40）上方并通過編程氧化層（18）部分覆蓋在第二P+區域（11）以及第四P+區域（19）的上方；

所述PMOS選擇晶體管（50）包括位于N型阱區（3）上部的第二P+區域（11）以及第三P+區域（12），所述第二P+區域（11）以及第三P+區域（12）上方設置字線電極（8），所述字線電極（8）通過下方的選擇氧化層（7）部分覆蓋在第二P+區域（11）以及第三P+區域（12）上。

2.根據權利要求1所述的具有多層單晶的EEPROM，其特征是：所述浮柵電極（9）與字線電極（8）均為P導電類型的導電多晶硅，且浮柵電極（9）與字線電極（8）為同一工藝制造層。

3.根據權利要求1所述的具有多層單晶的EEPROM，其特征是：所述浮柵氧化層（6）、選擇氧化層（7）以及編程氧化層（18）均為二氧化硅層，且浮柵氧化層（6）、選擇氧化層（7）以及編程氧化層（8）為同一工藝制造層。

4.根據權利要求1所述的具有多層單晶的EEPROM，其特征是：所述隔離介質（5）的材料為二氧化硅；在半導體基板（1）內具有N導電類型深阱（2），所述P型阱區（4）以及N型阱區（3）均位于N導電類型深阱（2）的正上方，且P型阱區（4）的底部以及N型阱區（3）的底部均鄰接N導電類型深阱（2）。