[實用新型]電容結構及電容式MEMS器件有效
| 申請號： | 201420787113.6 | 申請日： | 2014-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN204434267U | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發明（設計）人： | 郭梅寒;王輝 | 申請（專利權）人： | 深迪半導體（上海）有限公司 |
| 主分類號： | B81B3/00 | 分類號： | B81B3/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電容 結構 mems 器件 | ||
1.一種電容結構，應用于電容式MEMS器件，其特征在于，包括：
多個第一極板和多個第二極板，所述第一極板和所述第二極板之間沿第一方向交替設置；
其中，在所述第一方向的切面上，所述第一極板和所述第二極板之間有交疊區域，且所述第一極板的高度和所述第二極板的高度均大于所述交疊區域的高度。
2.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，在所述第一方向的切面上，多個所述第一極板朝向相同的端部相齊平，且多個所述第二極板朝向相同的端部相齊平。
3.根據權利要求2所述的電容結構，其特征在于，在所述第一方向的切面上，所述第一極板和所述第二極板的高度相同或不同。
4.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述第一極板和第二極板均為半導體極板或金屬極板。
5.根據權利要求4所述的電容結構，其特征在于，所述第一極板和第二極板為硅極板或鍺極板。
6.一種電容式MEMS器件，包括電容電極，所述電容電極包括相對應設置的固定梳齒和可動梳齒，其特征在于，所述固定梳齒包括多個第一極板，所述可動梳齒包括多個第二極板，所述第一極板和第二極板之間沿第一方向交替設置；
其中，在所述第一方向的切面上，所述第一極板和所述第二極板之間有交疊區域，且所述第一極板的高度和第二極板的高度均大于所述交疊區域的高度。
7.根據權利要求6所述的電容式MEMS器件，其特征在于，在所述第一方向的切面上，多個所述第一極板朝向相同的端部相齊平，且多個所述第二極板朝向相同的端部相齊平。
8.根據權利要求7所述的電容式MEMS器件，其特征在于，在所述第一方向的切面上，所述第一極板和所述第二極板的高度相同或不同。
9.根據權利要求6所述的電容式MEMS器件，其特征在于，所述第一極板和第二極板均為半導體極板或金屬極板。
10.根據權利要求9所述的電容式MEMS器件，其特征在于，所述第一極板和第二極板為硅極板或鍺極板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深迪半導體（上海）有限公司，未經深迪半導體（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420787113.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
