[實用新型]半導體晶圓制造顯影預對準裝置

有效

• 申請號: 201420766748.8
• 申請日: 2014-12-08
• 公開（公告）號: CN204391074U
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 施建根
• 申請（專利權）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;G03F9/00
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 孟阿妮;郭棟梁

技術領域

本實用新型涉及半導體制造領域，尤其涉及一種半導體晶圓制造顯影預對準裝置。

背景技術

在半導體晶圓級封裝或凸點制造時，為了在晶圓表面形成設計凸點的金屬線路或金屬凸點，需要先在晶圓表面通過物理氣相沉積的方法形成一層電鍍所需要的金屬種子層。然后在金屬種子層上通過光刻圖形轉移方法形成有設計圖案的正性光阻，而為了電鍍工藝要求需要在這層正性光阻的晶圓邊緣形成無光刻膠電鍍陰極金屬環接觸區域。

如一般公知技術，所需要使用到的涂膠裝置如圖1所示，首先是半導體晶圓21上在圖1所示的裝置上通過旋轉涂布的方法形成正性光阻22，該裝置包括有杯狀保護蓋11，裝有旋轉電機主軸13，在主軸13上有真空吸盤12，下方有裝有有機清洗液15的背噴管路14，上方裝有有機清洗液15的洗邊管路16。下方的背噴管路14內噴出來的有機清洗液15主要防止正性光阻臟污半導體晶圓21的背面，而上方的洗邊管路16內噴出來的有機清洗液15主要目的是在半導體晶圓邊緣形成無光刻膠電鍍陰極金屬環接觸區域。形成正性光阻22同時洗邊管路16中噴出大量有機溶劑16，涂布結束時把正性光阻22的邊緣洗掉形成鋸齒邊緣22a，曝光后再在圖2所示的現有技術裝置上實現顯影前對中。圖2所示的對中裝置包含有載臺7112和對中加緊裝置7111。顯影后在正性光阻上形成設計圖案。如圖3，半導體晶圓21邊緣形成無光刻膠電鍍陰極金屬環接觸區域的光刻膠還是涂膠后的狀態22a，成鋸齒狀。半導體晶圓邊緣形成的無光刻膠電鍍陰極金屬環接觸區域寬度范圍為1.0mm到1.8mm之間，容易造成電鍍時設備報警、電鍍高度不一致甚至是產品報廢。而且所形成的鋸齒狀邊緣光刻膠22a容易臟污電鍍治具的接觸電極，增加電鍍治具的預防性維護頻次。

實用新型內容

在下文中給出關于本發明的簡要概述，以便提供關于本發明的某些方面的基本理解。應當理解，這個概述并不是關于本發明的窮舉性概述。它并不是意圖確定本發明的關鍵或重要部分，也不是意圖限定本發明的范圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細描述的前序。

本實用新型的目的在于提供一種半導體晶圓制造顯影預對準裝置。

本實用新型提供的半導體晶圓制造顯影預對準裝置包括軸線豎直設置的真空旋轉吸盤，所述真空旋轉的頂部具有真空吸附平面，用以置放半導體晶圓，所述真空旋轉吸盤的上方沿水平方向滑動設置有邊緣曝光裝置，所述邊緣曝光裝置包括具有通孔的可調節擋板和紫外線發光裝置，所述紫外線發光裝置位于所述可調節擋板的正上方，所述紫外線發光裝置用于發出紫外線并通過所述通孔向所述真空旋轉吸盤一側照射。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：

用本實用新型裝置對半導體晶圓邊緣曝光，待顯影后形成的無光刻膠電鍍陰極金屬環接觸區域寬度范圍為1.2mm到1.6mm之間，形狀為環形，不會造成電鍍時設備報警、電鍍高度不一致甚至是產品報廢情況，所形成的電鍍高度共面性為正負7％。而且所形成的光滑垂直截面邊緣光刻膠不會臟污電鍍治具的接觸電極，大大減少了電鍍治具的預防性維護頻次。

附圖說明

參照下面結合附圖對本實用新型實施例的說明，會更加容易地理解本發明的以上和其它目的、特點和優點。附圖中的部件只是為了示出本發明的原理。在附圖中，相同的或類似的技術特征或部件將采用相同或類似的附圖標記來表示。

圖1為現有涂膠裝置示意圖；

圖2為現有對中裝置示意圖；

圖3為半導體晶圓經現有加工工藝顯影后邊緣示意圖；

圖4為本實用新型實施例提供的半導體晶圓制造顯影預對準裝置示意圖；

圖5為半導體晶圓經使用本實用新型實施例提供的半導體晶圓制造顯影預對準裝置加工工藝顯影后邊緣示意圖。

附圖標記說明：

11-杯狀保護蓋；12-真空吸盤；13-主軸；14-背噴管路；15-有機清洗液；16-洗邊管路；21-半導體晶圓；22-正性光阻；22a-正性光阻邊緣；7111-夾緊裝置；7112-載臺；711-光電感應裝置；712-真空旋轉吸盤；713-主軸；714-機械傳動裝置；715-邊緣曝光裝置，715a-汞燈；715b-凸透鏡；715c-可調節擋板；715d-孔洞；715e-曝光裝置移動部件；32e-正性光阻邊緣；32f-顯影后正性光阻邊緣。

具體實施方式