[實(shí)用新型]超低功耗的時(shí)鐘系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420757943.4
• 申請(qǐng)日: 2014-12-05
• 公開（公告）號(hào): CN204316485U
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王才寶;王釗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫中星微電子有限公司
• 主分類號(hào): H03K19/094
• 分類號(hào): H03K19/094
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種時(shí)鐘系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：

驅(qū)動(dòng)器，和晶體構(gòu)成晶體振蕩器；

數(shù)字整形單元，將晶體振蕩器輸出的模擬信號(hào)整形成數(shù)字時(shí)鐘信號(hào)；

低壓產(chǎn)生器，產(chǎn)生幅度低于電源電壓(VDD)的第一電壓(LVDD)，并且以該第一電壓給數(shù)字整形單元供電；

電平平移單元，將數(shù)字整形單元輸出的幅度為第一電壓(LVDD)的數(shù)字時(shí)鐘信號(hào)轉(zhuǎn)為幅度為電源電壓的數(shù)字時(shí)鐘信號(hào)。

2.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘系統(tǒng)，其中低壓產(chǎn)生器包括連接成二極管結(jié)構(gòu)的至少兩個(gè)MOS管，所述至少兩個(gè)MOS管彼此串聯(lián)并且采用電流源驅(qū)動(dòng)。

3.如權(quán)利要求2所述的時(shí)鐘系統(tǒng)，其中所述至少兩個(gè)MOS管包括一個(gè)PMOS管和一個(gè)NMOS管。

4.如權(quán)利要求2所述的時(shí)鐘系統(tǒng)，其中低壓產(chǎn)生器包括第五NMOS管和第六NMOS管，第五NMOS管連接在電流源和所述至少兩個(gè)MOS管之間，第六NMOS管的柵極連接在第五NMOS管的漏極，漏極連接在電源電壓，源極提供第一電壓。

5.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘系統(tǒng)，其中低壓產(chǎn)生器包括PMOS管(P4)和NMOS管(N4)；其中，電源電壓通過電流源驅(qū)動(dòng)PMOS管和NMOS管；NMOS管的源極接地，漏極和PMOS管的漏極相連，柵極和PMOS管的源?極相連且接至電流源，PMOS管的柵極接地；PMOS管的源極提供低電壓。

6.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘系統(tǒng)，其中低壓產(chǎn)生器包括PMOS管(P5)、第一NMOS管(N51)、第二NMOS管(N52)和第三NMOS管(N53)；其中，電源電壓通過電流源和第二NMOS管驅(qū)動(dòng)PMOS管和第一NMOS管；第一NMOS管的源極接地，漏極和PMOS管的漏極相連，柵極和PMOS管的源極相連且接至第NMOS管的源極；PMOS管的柵極接地，第二NMOS管(N52)連接成二極管結(jié)構(gòu)，且連接在電流源(IB)和PMOS管(P5)的源極之間；第三NMOS管(N53)的柵極和第二NMOS管(N52)的漏極相連，漏極連接在電源電壓端，源極提供低電壓。

7.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘系統(tǒng)，其中數(shù)字整形單元采用具有反相功能的共源放大電路和整形鏈串接組成。

8.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘系統(tǒng)，其中第一電壓(LVDD)的范圍小于等于PMOS管的開啟電壓與NMOS管的開啟電壓之和(V_THN+V_THP)，同時(shí)要大于PMOS管的開啟電壓與NMOS管的開啟電壓兩者的最大值(MAX(V_THN，V_THP))。