[實用新型]通過帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件

有效

• 申請號: 201420757536.3
• 申請日: 2014-12-07
• 公開（公告）號: CN204374464U
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 呂晶;王繼平;劉晶
• 申請（專利權）人: 杭州麥樂克電子科技有限公司
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20
• 代理公司: 杭州斯可睿專利事務所有限公司 33241
• 代理人: 周豪靖

技術領域

本實用新型涉及紅外濾光敏感元件領域，尤其是一種通過帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件。

背景技術

紅外熱成像儀（熱成像儀或紅外熱成像儀）是通過非接觸探測紅外能量（熱量），并將其轉換為電信號，進而在顯示器上生成熱圖像和溫度值，并可以對溫度值進行計算的一種檢測設備。紅外熱成像儀（熱成像儀或紅外熱成像儀）能夠將探測到的熱量精確量化或測量，使您不僅能夠觀察熱圖像，還能夠對發熱的故障區域進行準確識別和嚴格分析。

紅外熱成像儀的探測器是實現紅外能量（熱能）轉換電信號的關鍵，由于各種生物所發出來的紅外能量（熱能）是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的熱圖像，人們往往會在探測器中添加紅外濾光敏感元件，通過紅外濾光敏感元件可以使探測器只接受特定波段的紅外能量（熱能），保證紅外熱成像儀的成像結果。

但是，目前的紅外濾光敏感元件，其信噪比低，精度差，不能滿足市場發展的需要。

實用新型內容

本實用新型的目的是為了解決上述技術的不足而提供一種測試精度高、能極大提高信噪比的通過帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件。

為了達到上述目的，本實用新型所設計的一種通過帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件，包括以紅外石英為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板設于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間，其特征是所述第一鍍膜層由內向外依次排列包含有103nm厚度的Ge層、455nm厚度的SiO層、66nm厚度的Ge層、265nm厚度的SiO層、189nm厚度的Ge層、452nm厚度的SiO層、141nm厚度的Ge層、145nm厚度的SiO層、134nm厚度的Ge層、397nm厚度的SiO層、180nm厚度的Ge層、463nm厚度的SiO層、108nm厚度的Ge層、161nm厚度的SiO層、135nm厚度的Ge層、437nm厚度的SiO層、231nm厚度的Ge層、613nm厚度的SiO層、339nm厚度的Ge層、494nm厚度的SiO層、219nm厚度的Ge層、649nm厚度的SiO層、324nm厚度的Ge層、516nm厚度的SiO層、234nm厚度的Ge層、813nm厚度的SiO層、219nm厚度的Ge層、400nm厚度的SiO層；所述的第二鍍膜層由內向外依次排列包含有75nm厚度的Ge層、203nm厚度的SiO層、72nm厚度的Ge層、102nm厚度的SiO層、90nm厚度的Ge層、191nm厚度的SiO層、51nm厚度的Ge層、160nm厚度的SiO層、75nm厚度的Ge層、197nm厚度的SiO層、97nm厚度的Ge層、292nm厚度的SiO層、79nm厚度的Ge層、256nm厚度的SiO層、130nm厚度的Ge層、252nm厚度的SiO層、119nm厚度的Ge層、206nm厚度的SiO層、136nm厚度的Ge層、534nm厚度的SiO層。

上述各材料對應的厚度，其允許在公差范圍內變化，其變化的范圍屬于本專利保護的范圍，為等同關系。通常厚度的公差在10nm左右。

本實用新型所得到的一種通過帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件，其在溫度測量過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件50％Cut?on=3000±30nm，50％Cut?on=3500±30nm，3050～3400nm，Tavg≥80%，300～6500nm（通帶區域除外），Tavg≤0.1%。

附圖說明

圖1是實施例整體結構示意圖。

圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。

圖中：第一鍍膜層1、基板2、第二鍍膜層3。

具體實施方式

下面通過實施例結合附圖對本實用新型作進一步的描述。

實施例1。

如圖1、圖2所示，本實施例描述的一種通過帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件，包括以紅外石英為原材料的基板2，以Ge、SiO為第一鍍膜層1和以Ge、SiO為第二鍍膜層3，且所述基板2設于第一鍍膜層1與第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層1由內向外依次排列包含有103nm厚度的Ge層、455nm厚度的SiO層、66nm厚度的Ge層、265nm厚度的SiO層、189nm厚度的Ge層、452nm厚度的SiO層、141nm厚度的Ge層、145nm厚度的SiO層、134nm厚度的Ge層、397nm厚度的SiO層、180nm厚度的Ge層、463nm厚度的SiO層、108nm厚度的Ge層、161nm厚度的SiO層、135nm厚度的Ge層、437nm厚度的SiO層、231nm厚度的Ge層、613nm厚度的SiO層、339nm厚度的Ge層、494nm厚度的SiO層、219nm厚度的Ge層、649nm厚度的SiO層、324nm厚度的Ge層、516nm厚度的SiO層、234nm厚度的Ge層、813nm厚度的SiO層、219nm厚度的Ge層、400nm厚度的SiO層；所述的第二鍍膜層3由內向外依次排列包含有75nm厚度的Ge層、203nm厚度的SiO層、72nm厚度的Ge層、102nm厚度的SiO層、90nm厚度的Ge層、191nm厚度的SiO層、51nm厚度的Ge層、160nm厚度的SiO層、75nm厚度的Ge層、197nm厚度的SiO層、97nm厚度的Ge層、292nm厚度的SiO層、79nm厚度的Ge層、256nm厚度的SiO層、130nm厚度的Ge層、252nm厚度的SiO層、119nm厚度的Ge層、206nm厚度的SiO層、136nm厚度的Ge層、534nm厚度的SiO層。