[實用新型]通過帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件

有效

• 申請號: 201420757536.3
• 申請日: 2014-12-07
• 公開（公告）號: CN204374464U
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 呂晶;王繼平;劉晶
• 申請（專利權）人: 杭州麥樂克電子科技有限公司
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20
• 代理公司: 杭州斯可睿專利事務所有限公司 33241
• 代理人: 周豪靖

1.?一種通過帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件，包括以紅外石英為原材料的基板（2），以Ge、SiO為第一鍍膜層（1）和以Ge、SiO為第二鍍膜層（3），且所述基板（2）設于第一鍍膜層（1）與第二鍍膜層（3）之間，其特征是所述第一鍍膜層（1）由內向外依次排列包含有103nm厚度的Ge層、455nm厚度的SiO層、66nm厚度的Ge層、265nm厚度的SiO層、189nm厚度的Ge層、452nm厚度的SiO層、141nm厚度的Ge層、145nm厚度的SiO層、134nm厚度的Ge層、397nm厚度的SiO層、180nm厚度的Ge層、463nm厚度的SiO層、108nm厚度的Ge層、161nm厚度的SiO層、135nm厚度的Ge層、437nm厚度的SiO層、231nm厚度的Ge層、613nm厚度的SiO層、339nm厚度的Ge層、494nm厚度的SiO層、219nm厚度的Ge層、649nm厚度的SiO層、324nm厚度的Ge層、516nm厚度的SiO層、234nm厚度的Ge層、813nm厚度的SiO層、219nm厚度的Ge層、400nm厚度的SiO層；所述的第二鍍膜層（3）由內向外依次排列包含有75nm厚度的Ge層、203nm厚度的SiO層、72nm厚度的Ge層、102nm厚度的SiO層、90nm厚度的Ge層、191nm厚度的SiO層、51nm厚度的Ge層、160nm厚度的SiO層、75nm厚度的Ge層、197nm厚度的SiO層、97nm厚度的Ge層、292nm厚度的SiO層、79nm厚度的Ge層、256nm厚度的SiO層、130nm厚度的Ge層、252nm厚度的SiO層、119nm厚度的Ge層、206nm厚度的SiO層、136nm厚度的Ge層、534nm厚度的SiO層。