[實用新型]激光剝離設備有效
| 申請號: | 201420744697.9 | 申請日: | 2014-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN204257594U | 公開(公告)日: | 2015-04-08 |
| 發明(設計)人: | 王燕鋒;李素華;劉祥超;楊碩;劉成;王寶友 | 申請(專利權)人: | 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L21/02 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凱 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 剝離 設備 | ||
1.一種激光剝離設備,包括激光器及設于激光器下方的載具,所述載具包括底座和置于底座上、用于承載待剝離產品的承載裝置,其特征在于,所述承載裝置的承載面中部形成有用于容置所述待剝離產品的下凹空間,所述下凹空間的尺寸大于所述待剝離產品,以使待剝離產品置于所述下凹空間內時與承載裝置的內壁間留有空隙;所述底座上開設有貫穿底座的第一吸附孔,所述承載裝置上開設有第二吸附孔,所述第二吸附孔一端與所述第一吸附孔連通、另一端與下凹空間的側面連通。
2.根據權利要求1所述的激光剝離設備,其特征在于,所述承載裝置包括位于下凹空間邊緣且向承載裝置中部水平延伸的承接邊,所述承接邊懸空設置以與下凹空間的底面存在間隙,所述第二吸附孔從上至下貫通所述承接邊;所述承載裝置的側邊開設有連通所述第二吸附孔和第一吸附孔的吸附通道。
3.根據權利要求2所述的激光剝離設備,其特征在于,所述底座開設有吸附槽,所述第一吸附孔一端與所述吸附槽連通,所述承載裝置的底面形成有尺寸與所述吸附槽相匹配的凸條,使得所述承載裝置能夠通過凸條卡合于所述吸附槽內,所述吸附通道一端從所述凸條的底面穿出、另一端連通至所述下凹空間。
4.根據權利要求3所述的激光剝離設備,其特征在于,所述吸附槽在所述底座的兩側各設有一條。
5.根據權利要求1所述的激光剝離設備,其特征在于,所述激光剝離設備包括多個所述承載裝置,每個承載裝置的邊長相等但下凹空間的尺寸各不相同、以適配不同尺寸的待剝離產品。
6.根據權利要求1所述的激光剝離設備,其特征在于,還包括設于所述底座上的升降柱,用于升降所述承載裝置。
7.根據權利要求1所述的激光剝離設備,其特征在于,所述底座和承載裝置為方形。
8.根據權利要求7所述的激光剝離設備,其特征在于,所述底座還包括設于底座四角的L形卡位件,用于對所述承載裝置進行固定并卡緊。
9.根據權利要求8所述的激光剝離設備,其特征在于,所述L形卡位件與承載裝置接觸的側面為斜面。
10.根據權利要求1所述的激光剝離設備,其特征在于,所述承載裝置還包括尺寸調節件,用于調節所述下凹空間的尺寸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





