[實用新型]晶圓搬運機械手有效
| 申請號: | 201420744635.8 | 申請日: | 2014-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN204271064U | 公開(公告)日: | 2015-04-15 |
| 發明(設計)人: | 韓良華 | 申請(專利權)人: | 上海技美電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/683;B25J9/08;B25J15/06 |
| 代理公司: | 上海脫穎律師事務所 31259 | 代理人: | 李強 |
| 地址: | 201100 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 搬運 機械手 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種晶圓搬運機械手。
背景技術
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓。晶圓是生產集成電路所用的載體,是最常用的半導體材料,按其直徑分為6英寸、8英寸等規格,近來發展出12英寸甚至研發更大尺寸。晶圓越大,同一晶圓上可生產的IC就越多,但對晶圓生產技術的要求也就越高。在生產晶圓的過程當中,將晶圓從一個工作平臺轉移至另一個工作平臺,多采用人工手持晶圓進行搬運,效率低,穩定性差,極易因工作人員的操作不當使晶圓劃破或斷裂,影響晶圓品質,嚴重時導致晶圓報廢,降低晶圓生產的良品率。
實用新型內容
本實用新型的目的是為了克服現有技術中的不足,提供一種方便拿取晶圓的晶圓搬運機械手。
為實現以上目的,本實用新型通過以下技術方案實現:
晶圓搬運機械手,其特征在于,包括基板;所述基板上設有風道,所述風道設置有進風口和出風口;所述進風口與所述出風口通過所述風道連通;氣體自所述進風口吹入所述風道后從所述出風口吹出;所述基板上設有多個沉孔,多個所述沉孔沿圓周方向分布;所述出風口開設于所述沉孔的側壁上;每個沉孔的側壁上設置至少一個所述出風口。
優選地是,每個沉孔側壁上設置的所述出風口數目為多個,所述多個出風口沿圓周方向分布。
優選地是,所述沉孔為圓形。
優選地是,所述風道包括出風孔;所述出風孔自所述出風口向所述基板內延伸;同一個沉孔內的出風孔的延伸方向與該沉孔的徑向夾角α均大于等于90°、小于180°,或同一個沉孔內的出風孔的延伸方向與該沉孔的徑向夾角α均大于0°、小于等于90°。
優選地是,所述沉孔的個數為偶數;沿圓周方向相鄰的兩個沉孔,其中一個沉孔內的出風孔的延伸方向與該沉孔的徑向夾角α均大于等于90°、小于180°,另一個沉孔內出風孔的延伸方向與該沉孔的徑向夾角α均大于0°、小于等于90°。
優選地是,所述基板包括基板本體和蓋板;所述蓋板與所述基板本體連接;所述基板本體上設置有凹槽;所述蓋板將所述凹槽封住形成所述風道。
優選地是,所述沉孔設置于所述基板本體正表面,并自所述基板本體正表面向所述基板本體后表面延伸;所述凹槽設置于所述基板本體的后表面,并自所述基板本體后表面向所述基板本體正表面延伸;所述蓋板安裝于所述基板本體后表面上。
優選地是,還包括襯環,所述襯環側壁設置有多個第一通孔;所述多個第一通孔沿圓周方向分布;所述襯環設置于所述沉孔內;所述第一通孔與所述出風口連通;所述風道內的風經所述出風口、所述第一通孔吹入所述沉孔內。
優選地是,同一個襯環上的第一通孔的延伸方向與該襯環的徑向夾角β均大于等于90°、小于180°,或同一個襯環上的第一通孔的延伸方向與該襯環的徑向夾角β均大于0°、小于等于90°。
優選地是,所述襯環的個數為偶數;沿圓周方向相鄰的兩個襯環,其中一個襯環上的第一通孔的延伸方向與該襯環的徑向夾角β均大于等于90°、小于180°,另一個襯環上的第一通孔的延伸方向與該襯環的徑向夾角β均大于0°、小于等于90°。
優選地是,所述第一通孔沿基板厚度方向的截面呈圓形。
優選地是,所述基板上設有第二通孔;所述多個沉孔圍繞所述第二通孔設置。
優選地是,所述基板上還設有至少一個凸塊;所述凸塊凸出所述基板的表面。
優選地是,所述凸塊設置于所述沉孔內;所述凸塊與所述沉孔側壁具有間隙。
優選地是,還包括檢測裝置;所述檢測裝置用于檢測所述基板是否吸住晶圓。
優選地是,所述檢測裝置為光電檢測器。
本實用新型提供的晶圓搬運機械手,當基板貼近晶圓時,利用沉孔側壁吹出的氣形成渦流,在沉孔中央形成負壓。利用負壓可吸附晶圓,將晶圓吸附在基板上。移動基板可搬運晶圓。本實用新型效率高,穩定性好。本實用新型提供的晶圓搬運機械手可代替傳統手持晶圓搬運的方法,避免手工觸碰晶圓,防止因人員操作不當損壞晶圓,防止晶圓報廢,使搬運過程中的晶圓報廢率降低或歸零。
附圖說明
圖1為實施例1中的晶圓搬運機械手的結構示意圖;
圖2為將圖1所示的晶圓搬運機械手的蓋板拆卸后的結構示意圖;
圖3為圖2中的I放大圖;
圖4為將圖1所示的晶圓搬運機械手翻轉后的結構示意圖;
圖5為圖4中的II放大圖;
圖6為實施例1中的一個沉孔內的子凹槽的結構主視圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





