[實用新型]真空鍍膜設備用離子源系統有效
| 申請號: | 201420741584.3 | 申請日: | 2014-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN204401096U | 公開(公告)日: | 2015-06-17 |
| 發明(設計)人: | 單永賢 | 申請(專利權)人: | 上海金科納米涂層技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/22 | 分類號: | C23C14/22 |
| 代理公司: | 上海天協和誠知識產權代理事務所 31216 | 代理人: | 張恒康 |
| 地址: | 200082 上海市虹*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空鍍膜 備用 離子源 系統 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種離子源系統,具體的說是應用于真空鍍膜設備用離子源系統。
背景技術
隨著鍍膜技術的不斷發展,目前真空鍍膜機都是課實現多靶材同時鍍膜功能。為使工件表面的鍍膜性能更優異,就必須保證靶材表面最先被蒸發出來的材料不被任何污染或者氧化。所以,在真正鍍膜之前都要對靶材進行清洗或者叫做預濺射,專利CN?103343320?A提供了一種避免開啟閉合卡死、傳動軸漏氣,并能正確對準靶位的簡單、可靠、高效的多工位源擋板系統。
專利CN?203530420?U?提供了一種擋板及磁控濺射設備,能夠減少薄膜光伏組件鍍背電極過程中的繞鍍現象,提高薄膜光伏組件的光電轉換效率,為鍍背電極的后道工序提供良好的基礎。
在等離子體表面處理工藝方面,目前使用的陽極離子源、霍爾離子源等離子源系統都是需要獨立的裝置系統:陽極、磁極、氣管等,這樣的獨立系統都會由于布氣通道等造成離子源腔體內的氣體分布不均勻,影響離子源工作的穩定性等問題。
發明內容
本實用新型旨在克服現有技術的缺陷,提供一種真空鍍膜設備用離子源系統,可以對基片進行清潔和輔助沉積鍍膜。
為了解決上述技術問題,本實用新型是這樣實現的:
一種真空鍍膜設備用離子源系統,包括真空室,其特征在于:還包括轉盤、基片、擋板、轉軸、若干靶源、通氣孔和電源;轉盤位于真空室中心位置,其外部裝有基片,擋板設于真空室內并通過轉軸將其與轉盤中心連接;靶源包括靶座和靶材,靶材設于靶座上部,靶材和通氣孔間隔設于真空室的內壁四周;每個靶源通過單獨的電源連接控制。
本實用新型的有益效果是:結構簡單,有效果改善膜層與基片的結合力,并提高了鍍膜效率。
附圖說明
下面結合附圖和實施方式對本實用新型作進一步的詳細說明:
圖1為本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
如圖1所示:一種真空鍍膜設備用離子源系統,包括真空室60、轉盤51、基片、擋板70、轉軸71、若干靶源、通氣孔40和電源;轉盤位于真空室中心位置,其外部裝有基片,擋板設于真空室內并通過轉軸將其與轉盤中心52連接;靶源包括靶座10和靶材11,靶材設于靶座上部,靶材和通氣孔間隔設于真空室的內壁四周;每個靶源通過單獨的電源8連接控制。
在預濺射時,在轉動軸的帶動下轉到不同靶源的位置,通過擋板來阻隔靶材蒸發出來的材料沉積在基片表面,完成各個靶源的表面清潔工作;
在鍍膜過程中,將擋板固定在另外一個作為離子發生器的靶材前面,氬氣從通氣孔進入真空室,通過靜電吸引的原理,將電子41吸引到正在使用的鍍膜靶材方向,使得運動的電子將氬氣電離化,得到帶正電的氬離子Ar+被吸引到帶負電的基片上,從而完成對基片的清潔和鍍膜時的輔助鍍膜。
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