[實(shí)用新型]真空鍍膜設(shè)備用離子源系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420741584.3 | 申請日: | 2014-12-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204401096U | 公開(公告)日: | 2015-06-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 單永賢 | 申請(專利權(quán))人: | 上海金科納米涂層技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/22 | 分類號(hào): | C23C14/22 |
| 代理公司: | 上海天協(xié)和誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31216 | 代理人: | 張恒康 |
| 地址: | 200082 上海市虹*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 真空鍍膜 備用 離子源 系統(tǒng) | ||
1.一種真空鍍膜設(shè)備用離子源系統(tǒng),包括真空室,其特征在于:還包括轉(zhuǎn)盤、基片、擋板、轉(zhuǎn)軸、若干靶源、通氣孔和電源;轉(zhuǎn)盤位于真空室中心位置,其外部裝有基片,擋板設(shè)于真空室內(nèi)并通過轉(zhuǎn)軸將其與轉(zhuǎn)盤中心連接;靶源包括靶座和靶材,靶材設(shè)于靶座上部,靶材和通氣孔間隔設(shè)于真空室的內(nèi)壁四周;每個(gè)靶源通過單獨(dú)的電源連接控制。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





