[實(shí)用新型]一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420740654.3
• 申請(qǐng)日: 2014-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN204342876U
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張欣;丁小弟;金懿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/513
• 分類號(hào): C23C16/513
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 吳俊

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及到一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備。

背景技術(shù)

LAM?C3?VECTOR機(jī)臺(tái)設(shè)備工藝是在反應(yīng)腔室內(nèi)的高溫環(huán)境下,通過(guò)對(duì)特定的工藝氣體在等離子體增強(qiáng)條件下在硅片表面進(jìn)行化學(xué)氣相沉積形成薄膜。它的特點(diǎn)是成膜速度快，薄膜均勻度好。但由于該機(jī)臺(tái)并沒(méi)有薄膜轉(zhuǎn)移的空間,導(dǎo)致薄膜經(jīng)過(guò)外界大氣空間后直接進(jìn)入高溫反應(yīng)腔室內(nèi)。用于隔絕反應(yīng)腔室和外界大氣的真空門(一種閥門)一方面由于受到反應(yīng)腔室內(nèi)高溫的烘烤，另一方面薄膜成型后需要轉(zhuǎn)移到反應(yīng)腔室內(nèi)，需要頻繁的開關(guān)真空門，隨著次數(shù)的增加導(dǎo)致這個(gè)部件損壞率非常高，并且每次更換的時(shí)候，就需要打開反應(yīng)腔室。而又因?yàn)閂ECTOR機(jī)臺(tái)中的反應(yīng)腔室破大氣來(lái)降低溫度所花費(fèi)的時(shí)間需要6到7個(gè)小時(shí)之久，所以這個(gè)部件的更換，反應(yīng)腔室復(fù)機(jī)需要20個(gè)小時(shí)左右，時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，嚴(yán)重影響了半導(dǎo)體制備的效率。

中國(guó)專利(CN201159300Y)公開了一種高溫油氣隔絕閥門，它包含氣動(dòng)執(zhí)行設(shè)備、閥桿、球體、閥體、定位軸、閥座密封圈和端面法蘭,其特征在于在端面法蘭內(nèi)設(shè)置安裝多層Ω形波紋管膨脹節(jié),Ω形波紋管膨脹節(jié)一端支承連接在閥座密封圈上,另一端支承連接在端面法蘭體上,并在Ω形波紋管膨脹節(jié)成形圈內(nèi)設(shè)置承壓導(dǎo)流設(shè)備。其目的是為了設(shè)計(jì)一種密封性能長(zhǎng)期可靠、啟閉輕便、動(dòng)作規(guī)律穩(wěn)定可靠的高溫油氣隔絕閥門。與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有優(yōu)越的高溫密封性能,閥門使用壽命長(zhǎng),適用于易燃、易爆和有劇毒易揮發(fā)的工況等優(yōu)點(diǎn)。

上述專利公開的一種高溫油氣隔絕閥門，有效的提高了設(shè)備在線使用率，但是對(duì)于該隔絕閥門的設(shè)計(jì)要求比較高，而且半導(dǎo)體制備的過(guò)程中無(wú)法排除頻繁使用隔絕閥門出現(xiàn)損壞的現(xiàn)象，因此還需要更換該部件，延長(zhǎng)了半導(dǎo)體制備工藝的時(shí)間，降低了半導(dǎo)體制備工藝的效率。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備，來(lái)取代現(xiàn)有技術(shù)中隔絕閥門損壞導(dǎo)致半導(dǎo)體制造工藝效率低下的現(xiàn)象。

本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為：

一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備，其特征在于，包括：

一反應(yīng)腔室，設(shè)置有進(jìn)料口，且所述反應(yīng)腔室處于設(shè)備的中心位置；

一外殼，部分包裹所述反應(yīng)腔室，且所述外殼的頂部設(shè)有第一螺絲孔組，所述外殼的底部設(shè)有第二螺絲孔組；

一第一隔絕裝置，通過(guò)所述第一螺絲孔組設(shè)置于所述外殼的底部；

一第二隔絕裝置，通過(guò)所述第二螺絲孔組設(shè)置于所述外殼的頂部；

一壓縮裝置，連接于所述第一隔絕裝置和第二隔絕裝置；

其中，所述第一隔絕裝置還包括第一聯(lián)動(dòng)軸和第一閥門，所述第二隔絕裝置還包括第二聯(lián)動(dòng)軸和第二閥門，所述第一聯(lián)動(dòng)軸和所述第二聯(lián)動(dòng)軸均通過(guò)所述壓縮裝置分別帶動(dòng)所述第一閥門和所述第二閥門，以關(guān)閉所述反應(yīng)腔室的進(jìn)料口。

上述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備，其中，所述第一隔絕裝置與第二隔絕裝置相對(duì)于所述反應(yīng)腔室對(duì)稱。

上述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備，其中，所述外殼的頂部還設(shè)置有緩沖墊。

上述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備，其中，所述緩沖墊的頂部到所述反應(yīng)腔室頂部的距離與所述外殼底部到所述反應(yīng)腔室底部的距離相等。

上述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備，其中，所述進(jìn)料口與所述第一閥門和所述第二閥門的大小均相同。

上述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備，其中，所述第一隔絕裝置的兩端還包括兩側(cè)翼；

所述第一螺絲孔組包括兩個(gè)第一螺絲孔；

其中，兩個(gè)所述第一螺絲孔分別設(shè)置于所述側(cè)翼上。

上述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備，其中，所述第二隔絕裝置的兩端還包括兩側(cè)翼；

所述第二螺絲孔組包括兩個(gè)第二螺絲孔；

其中，兩個(gè)所述第二螺絲孔分別設(shè)置于所述側(cè)翼上。

上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：

通過(guò)上述技術(shù)方案，有效的提高了設(shè)備在線使用率，而且對(duì)于上述的第二隔絕裝置設(shè)計(jì)成本與技術(shù)含量相對(duì)較小，在半導(dǎo)體制備工藝的過(guò)程中避免了頻繁使用第一閥門出現(xiàn)損壞而導(dǎo)致制備工藝時(shí)間延長(zhǎng)的后果，因此通過(guò)第二閥門替代該第一閥門，大大的降低了半導(dǎo)體制備工藝的時(shí)間，提高了半導(dǎo)體制備工藝的效率。

附圖說(shuō)明

參考所附附圖，以更加充分的描述本實(shí)用新型的實(shí)施例。然而，所附附圖僅用于說(shuō)明和闡述，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型范圍的限制。