[實用新型]一種等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420740654.3
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN204342876U
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張欣;丁小弟;金懿
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備，其特征在于，包括：

一反應(yīng)腔室，設(shè)置有進料口，且所述反應(yīng)腔室處于設(shè)備的中心位置；

一外殼，部分包裹所述反應(yīng)腔室，且所述外殼的頂部設(shè)有第一螺絲孔組，所述外殼的底部設(shè)有第二螺絲孔組；

一第一隔絕裝置，通過所述第一螺絲孔組設(shè)置于所述外殼的底部；

一第二隔絕裝置，通過所述第二螺絲孔組設(shè)置于所述外殼的頂部；

一壓縮裝置，連接于所述第一隔絕裝置和第二隔絕裝置；

其中，所述第一隔絕裝置還包括第一聯(lián)動軸和第一閥門，所述第二隔絕裝置還包括第二聯(lián)動軸和第二閥門，所述第一聯(lián)動軸和所述第二聯(lián)動軸均通過所述壓縮裝置分別帶動所述第一閥門和所述第二閥門，以關(guān)閉所述反應(yīng)腔室的進料口。

2.如權(quán)利要求1所述的一種等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備，其特征在于，所述第一隔絕裝置與第二隔絕裝置相對于所述反應(yīng)腔室對稱。

3.如權(quán)利要求1所述的一種等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備，其特征在于，所述外殼的頂部還設(shè)置有緩沖墊。

4.如權(quán)利要求3所述的一種等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備，其特征在于，所述緩沖墊的頂部到所述反應(yīng)腔室頂部的距離與所述外殼底部到所述反應(yīng)腔室底部的距離相等。

5.如權(quán)利要求1所述的一種等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備，其特征在于，所述進料口與所述第一閥門和所述第二閥門的大小均相同。

6.如權(quán)利要求1所述的一種等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備，其特征在于，所述第一隔絕裝置的兩端還包括兩側(cè)翼；

所述第一螺絲孔組包括兩個第一螺絲孔；

其中，兩個所述第一螺絲孔分別設(shè)置于所述側(cè)翼上。

7.如權(quán)利要求1所述的一種等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備，其特征在于，所述第二隔絕裝置的兩端還包括兩側(cè)翼；

所述第二螺絲孔組包括兩個第二螺絲孔；

其中，兩個所述第二螺絲孔分別設(shè)置于所述側(cè)翼上。