[實用新型]一種雙面太陽電池結構有效
| 申請號: | 201420736362.2 | 申請日: | 2014-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN204230255U | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 王立建 | 申請(專利權)人: | 浙江昱輝陽光能源江蘇有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司: | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
| 地址: | 214203 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 雙面 太陽電池 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及制造晶體硅太陽電池技術領域,具體涉及一種雙面太陽電池結構。
背景技術
隨著全球能源的日趨緊張,太陽能以無污染、市場空間大等獨有的優勢受到了世界各國的廣泛重視,國際上眾多大公司均投入太陽能電池研發和生產行業。硅太陽能電池是一種有效地吸收太陽能輻射并使之轉化為電的半導體電子器件,現已廣泛應用于各種照明及發電系統中。目前商業化的太陽能電池產品中,晶體硅(單晶和多晶)太陽能電池的市場份額最大,一直保持85%以上的市場占有率。因此,研發高性價比的晶體硅太陽能電池還是各國研究員的研發方向之一。
光伏發電中常用的是單面受光太陽電池,為獲得較高的輸出功率,這種電池一般都朝陽傾斜設置。而兩面受光電池沒有這種限制,因其可垂直放置的特性,而被使用在縱向的圍墻等上。兩面受光太陽電池的出現,使利用太陽能發電進入到一個前所未有的領域。兩面受光太陽電池的特性是:太陽電池片正面和反面都可受光,年發電量是一般單面受光電池的1.2~1.5倍;太陽電池組件的正面和反面都使用鋼化玻璃作為保護材料,采光性可靠性高;可垂直放置,產生了許多新的利用方式,如使用在路燈或圍欄等上。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種高轉化率的雙面太陽電池結構,使得硅片兩面吸光效果大大增強,提高電池片的功率輸出。
為達上述目的,本實用新型提一種雙面太陽電池結構,包括P型基體,自P型基體上表面向上依次設有PN結、第一吸光面鈍化層、以及第一吸光面電極,所述P型基體下表面向下依次設有P+層、第二吸收面鈍化層和第二吸光面電極,所述第一吸光面鈍化層從下至上依次為第一折射層、第二折射層和第三折射層,所述第一折射層貼合所述PN結,所述第二吸收面鈍化層從上至下依次為第四折射層和第五折射層,所述第四折射層貼合所述P+層。
進一步的,前述第一折射層為二氧化硅薄膜,厚度為1-5nm;前述第二折射層為折射率2.05-2.15%的氮化硅薄膜,厚度為30-40nm;前述第三折射層為折射率2.2-2.3%的氮化硅薄膜,厚度為20-50nm。
進一步的,前述第四折射層為二氧化硅薄膜,厚度為10-30nm;前述第五折射層為非晶硅薄膜,厚度為30-70nm。
本實用新型的有益效果是:通過設置第一鈍化成和第二鈍化層,并且第一鈍化層分別設置多個折射層包括二氧化硅薄膜、高折射率氮化硅薄膜,低折射率氮化硅薄膜,第二鈍化層也設置多個折射層包括使得硅片、非晶硅薄膜,使得太陽能電池能夠兩面吸光效果大大增強,提高電池片的功率輸出。
附圖說明
圖1為本實用新型雙面太陽電池結構的結構示意圖。
具體實施方式
如圖1所示,本實用新型雙面太陽電池結構,雙面太陽電池結構包括P型基體6,自P型基體6上表面向上依次設有的PN結5、第一吸光面鈍化層、以及第一吸光面電極1,和自P型基體6下表面向下依次設有P+層7、第二吸收面鈍化層、以及第二吸光面電極10。
第一吸光面鈍化層從下至上依次為的第一折射層4和第二折射層3和第三折射層2,第一折射層4靠近PN結5,第一折射層4和第二折射層3和第三折射層2的折射率不同;第一折射層為二氧化硅薄膜,厚度為3nm;第二折射層的為折射率為2.2%的高折射率氮化硅薄膜,厚度為30nm;第三折射層為折射率為2.1%氮化硅薄膜,厚度為50nm。
第二吸收面鈍化層包括第四折射層8和第五折射層9,第四折射層8靠近P+層7,所述第四和第五折射層8、9的折射率不同,第四折射層8的為二氧化硅薄膜,厚度為15nm第五折射層9為非晶硅薄膜,厚度為65nm。
P+層7是由硼酸旋涂表面烘干形成。第一吸光面電極1和第二吸光面電極10配合將電池產生的電能傳送到外部。
除上述實施例外,本實用新型還可以有其他實施方式。凡采用等同替換或等效變換形成的技術方案,均落在本實用新型要求的保護范圍。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江昱輝陽光能源江蘇有限公司,未經浙江昱輝陽光能源江蘇有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420736362.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





