[實用新型]一種雙面太陽電池結構有效
| 申請號: | 201420736362.2 | 申請日: | 2014-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN204230255U | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 王立建 | 申請(專利權)人: | 浙江昱輝陽光能源江蘇有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司: | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
| 地址: | 214203 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 雙面 太陽電池 結構 | ||
1.一種雙面太陽電池結構,包括P型基體,P型基體上表面向上依次設有PN結、第一吸光面鈍化層、以及第一吸光面電極,其特征在于:所述P型基體下表面向下依次設有P+層、第二吸收面鈍化層和第二吸光面電極,所述第一吸光面鈍化層從下至上依次為第一折射層、第二折射層和第三折射層,所述第一折射層貼合所述PN結,所述第二吸收面鈍化層從上至下依次為第四折射層和第五折射層,所述第四折射層貼合所述P+層。
2.根據權利要求1所述的雙面太陽電池結構,其特征在于:所述第一折射層為二氧化硅薄膜,厚度為1-5nm。
3.根據權利要求1所述的雙面太陽電池結構,其特征在于:所述第二折射層為折射率2.05-2.15%的氮化硅薄膜,厚度為30-40nm。
4.根據權利要求1所述的雙面太陽電池結構,其特征在于:所述第三折射層為折射率2.2-2.3%的氮化硅薄膜,厚度為20-50nm。
5.根據權利要求1所述的雙面太陽電池結構,其特征在于:所述第四折射層為二氧化硅薄膜,厚度為10-30nm。
6.根據權利要求1所述的雙面太陽電池結構,其特征在于:所述第五折射層為非晶硅薄膜,厚度為30-70nm.。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





