[實用新型]一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構

有效

• 申請號: 201420714792.4
• 申請日: 2014-11-25
• 公開（公告）號: CN204204841U
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 周平
• 申請（專利權）人: 成都振芯科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 成都金英專利代理事務所(普通合伙) 51218
• 代理人: 袁英

技術領域

本實用新型涉及集成電路陶瓷封裝技術領域，特別是一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構。

背景技術

隨著集成電路頻率越來越高，封裝對產品電性能的影響越來越大；封裝的寄生參數，不僅影響了射頻IO的電性能，還會影響臨近IO的工作；隨著后摩爾時代的繼續發展，集成電路外形越來越小，這加大了高頻集成電路陶瓷管殼的設計難度。

傳統陶瓷管殼從頂至底，依次為封口區、陶瓷層、鍵合指層、陶瓷層、連接區。這種布局并未對射頻IO進行隔離處理，將嚴重影響射頻IO的電性能。近年，也有同行對傳統陶瓷管殼進行改進，在其鍵合指層的上下各增加了金屬隔離層，但這只稍微提高了隔離度。隨著傳輸頻率的增加，信號損耗越發嚴重。由于鍵合指布線空間有限，常常也并未對射頻用鍵合指進行左右隔離處理，而傳輸通道之間存在較高的串擾及耦合效應，這將增加信號的損耗，致使隔離度低。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服現有技術的不足，提供一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構，在保證高可靠性的前提下，顯著提高封裝結構的隔離度，降低封裝對產品性能的影響。

本實用新型的目的是通過以下技術方案來實現的：一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構，包括管殼、芯片、金屬蓋板和鍵合絲；所述的管殼由陶瓷層、金屬化層和互連盲孔組成；所述的金屬化層由鍵合指層、密封區、連接區、粘芯區及印制線層組成；所述的管殼中央設有放置芯片的粘芯區；粘芯區四周設有鍵合指層，所述鍵合指層包括接地鍵合指和信號鍵合指，所述接地鍵合指通過互連盲孔與印制線層、密封區和粘芯區連接，所述信號鍵合指與連接區連接。

所述的金屬化層區以鎢為基體，并在裸露的金屬化層區域先鍍鎳再鍍金，其總厚度為90～250微米。

所述的連接區為引出端焊盤，可直接焊接于PCB板上。

所述的管殼從上至下依次為密封區、第一陶瓷層、第一印制線層、第二陶瓷層、鍵合指層、第三陶瓷層、第二印制線層、第四陶瓷層和連接區。

所述的信號鍵合指包括高隔離度鍵合指，高隔離度鍵合指左右兩邊設置接地鍵合指，接地鍵合指在水平方向包裹高隔離度鍵合指，形成左右“三明治”結構；所述的接地鍵合指通過互連盲孔與第二印制線層連接。

所述的粘芯區可與鍵合指層處于同一平面，也可與第二印制線層處于同一平面。

所述的第一印制線層通過互連盲孔與第二印制線層連接；同時第一印制線層和第二印制線層的面積足夠大，在豎直方向完全包裹鍵合指層，形成上下“三明治”結構。

根據本實用新型所述的一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構的一種優選方案，所述的第一印制線層與鍵合指層的距離、鍵合指層與第二印制線層的距離均為0.2～0.5毫米。

根據本實用新型所述的一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構的一種優選方案，所述的高隔離度鍵合指寬度為60～180微米；各鍵合指的中心軸線相互平行，且各中心軸線的間距為180～500微米。

本實用新型技術方案的有益效果：本實用新型采用地層隔離技術，對高隔離度鍵合指進行空間立體包裹，形成空間“三明治”結構，這能在保證封裝高可靠性的前提下，顯著降低信號通道的串擾及耦合效應，降低信號損耗，提高隔離度，降低封裝對產品電性能的影響。

附圖說明

圖?1為本實用新型的結構示意圖；

????圖2為第二印制線層結構示意圖；

????圖3為左右“三明治”結構示意圖；

????圖4為實施例二與四的高隔離度陶瓷封裝結構示意圖；

????圖5為實施例三與四的左右“三明治”結構示意圖；

????圖6為連接區結構示意圖；

????圖7為三種封裝結構的隔離效果比較圖；

圖中，a-管殼、b-芯片、c-金屬蓋板、d-鍵合絲、a1-陶瓷層、a2-金屬化層、a3-互連盲孔、a11-第一陶瓷層、a12-第二陶瓷層、a13-第三陶瓷層、a14-第四陶瓷層、a21-鍵合指層、a22-密封區、a23-連接區、a24-粘芯區、a25-印制線層、a251-第一印制線層、a252-第二印制線層、a211-接地鍵合指、a212-信號鍵合指、a2121-高隔離度鍵合指。

具體實施方式

下面結合附圖進一步詳細描述本實用新型的技術方案，但本實用新型的保護范圍不局限于以下所述。