[實用新型]一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構有效
| 申請號: | 201420714792.4 | 申請日: | 2014-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN204204841U | 公開(公告)日: | 2015-03-11 |
| 發明(設計)人: | 周平 | 申請(專利權)人: | 成都振芯科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488 |
| 代理公司: | 成都金英專利代理事務所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
| 地址: | 610000 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 小型化 隔離 陶瓷封裝 結構 | ||
1.一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構,其特征在于:它包括管殼(a)、芯片(b)、金屬蓋板(c)和鍵合絲(d);所述的管殼(a)由陶瓷層(a1)、金屬化層(a2)和互連盲孔(a3)組成;所述的金屬化層(a2)由鍵合指層(a21)、密封區(a22)、連接區(a23)、粘芯區(a24)及印制線層(a25)組成;所述的管殼(a)中央設有放置芯片的粘芯區(a24),粘芯區(a24)四周設置有鍵合指層(a21),所述鍵合指層(a21)包括接地鍵合指(a211)和信號鍵合指(a212),所述接地鍵合指(a211)通過互連盲孔(a3)與印制線層(a25)、密封區(a22)和粘芯區(a24)連接,所述信號鍵合指(a212)與連接區(a23)連接。
2.根據權利要求1所述的一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構,其特征在于:所述的金屬化層(a2)以鎢為基體,并在裸露的金屬化層區域先鍍鎳再鍍金,其總厚度為90~250微米。
3.根據權利要求1所述的一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構,其特征在于:所述的連接區(a23)為引出端焊盤,可直接焊接于PCB板上。
4.根據權利要求1所述的一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構,其特征在于:所述的管殼(a)從上至下,依次為密封區(a22)、第一陶瓷層(a11)、第一印制線層(a251)、第二陶瓷層(a12)、鍵合指層(a21)、第三陶瓷層(a13)、第二印制線層(a252)、第四陶瓷層(a14)、連接區(a23)。
5.?根據權利要求1所述的一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構,其特征在于:所述的信號鍵合指(a212)包括高隔離度鍵合指(a2121),所述高隔離度鍵合指(a2121)左右兩邊設置有接地鍵合指(a211),接地鍵合指(a211)在水平方向包裹高隔離度鍵合指(a2121),形成左右“三明治”結構;所述接地鍵合指(a211)通過互連盲孔(a3)與第二印制線層(a252)連接。
6.根據權利要求1所述的一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構,其特征在于:所述的粘芯區(a24)與鍵合指層(a21)處于同一平面。
7.根據權利要求1所述的一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構,其特征在于:所述的粘芯區(a24)與第二印制線層(a252)處于同一平面。
8.根據權利要求4所述的一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構,其特征在于:所述的第一印制線層(a251)通過互連盲孔(a3)與第二印制線層(a252)連接;同時第一印制線層(a251)和第二印制線層(a252)面積足夠大,在豎直方向完全包裹鍵合指層(a21),形成上下“三明治”結構。
9.根據權利要求1所述的一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構,其特征在于:所述的鍵合指層(a21)與第一印制線層(a251)、第二印制線層(a252)的距離為0.2~0.5毫米。
10.根據權利要求5所述的一種小型化高隔離度陶瓷封裝結構,其特征在于:所述的高隔離度鍵合指(a2121)寬度為60~180微米,各鍵合指的中心軸線相互平行,且各中心軸線的間距為180~500微米。
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