[實用新型]一種硅片清洗槽有效
| 申請號： | 201420703272.3 | 申請日： | 2014-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN204289404U | 公開（公告）日： | 2015-04-22 |
| 發明（設計）人： | 劉彬國;何京輝;李立偉;張立濤;張穩 | 申請（專利權）人： | 邢臺晶龍電子材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;B08B3/12 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 054001 河北省*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅片 清洗 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅片清洗槽，其特征是：所述清洗槽（1）為長方體形狀，在清洗槽（1）的上部設有進水口（2）和溢流口（3），所述溢流口（3）的高度低于進水口（2）的高度，所述清洗槽（1）的槽底板為可震動的鋼板（4），所述鋼板（4）的外側底面上連接有超聲波換能器（5）。
2.根據權利要求1所述的一種硅片清洗槽，其特征是：所述清洗槽（1）的槽底還設有排水口（6），所述超聲波換能器（5）的數量為3個。
3.根據權利要求2所述的一種硅片清洗槽，其特征是：所述清洗槽（1）的槽寬1.2米，長1.8米，槽內深度為20厘米，所述溢流口（3）距離槽頂口的距離為2厘米。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
