[實用新型]一種晶體硅太陽能電池結構有效
| 申請號: | 201420687743.6 | 申請日: | 2014-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN204289471U | 公開(公告)日: | 2015-04-22 |
| 發明(設計)人: | 黃鈞林;周肅;范維濤;黃青松;勾憲芳 | 申請(專利權)人: | 中節能太陽能科技(鎮江)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/02 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 徐瑩 |
| 地址: | 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶體 太陽能電池 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及光伏領域,具體涉及一種太陽能電池片。
背景技術
隨著光伏產業的發展,在晶體硅太陽能電池片生產中,光電轉換效率的提升和電池制造成本的降低已成為整個光伏產業發展的根本,而隨著工藝技術的不斷進步,晶體硅太陽能電池的轉換效率逐漸遇到了瓶頸。
在目前太陽能電池工藝中,電池正面電極的制備方法是采用絲網印刷技術,在鍍了減反射膜的硅片上印刷銀漿,然后通過高溫燒結,銀可與硅片形成良好的歐姆接觸。采用銀作為電極的優點是銀具有優良的導電性,通過漿料工藝中的添加劑后燒結可與硅形成良好的歐姆接觸。其缺點是銀會對入射光造成遮擋,導致電池片受光面積減小。
實用新型內容
實用新型目的:本實用新型的目的在于針對現有技術的不足,提供一種有效提高受光效果、導電性能好的晶體硅太陽能電池結構。
技術方案:一種晶體硅太陽能電池結構,包括硅襯底片、減反射膜、石墨烯導電膜、正電極、鋁背場和背電極,所述正電極和背電極分別直接燒結在硅襯底片的正面及反面,所述減反射膜和石墨烯導電膜依次覆蓋在硅襯底片的正面,所述鋁背場覆蓋在硅襯底片的反面。
進一步,所述減反射膜上均勻的設有線形或點狀的激光開槽,使載流子可導出。
優選的,所述石墨烯膜的厚度為2~500nm,在此范圍內能保證石墨烯膜的強度、導電性及導熱性。
優選的,所述正電極的寬度為1~2mm,數量為2~10根,可有效收集電池片表面的載流子。
進一步,所述正電極上設有鏤空,可減少正電極的遮光面積。
有益效果:1、本實用新型的石墨烯導電膜收集正面電流,在很寬的波長范圍內具有很高的透過率、超高的載流子遷移率,不遮光、導電性好,可有效提高電池片效率,同時具有優異的力學性能和穩定性;2、本實用新型只印刷正電極主柵,節省正電極銀漿的消耗量。
附圖說明
圖1為本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
下面對本實用新型技術方案進行詳細說明,但是本實用新型的保護范圍不局限于所述實施例。
實施例:一種晶體硅太陽能電池結構,包括硅襯底片1、減反射膜2、石墨烯導電膜3、正電極4、鋁背場5和背電極6,正電極4和背電極6分別設置在硅襯底片1的正面及反面,通過燒結直接與硅襯底片1形成歐姆接觸,減反射膜2和石墨烯導電膜3依次覆蓋在硅襯底片1的正面,鋁背場5覆蓋在硅襯底片1的反面。減反射膜2上均勻的設有線形的激光開槽,以便于電荷的導出,激光開槽深度為130nm。石墨烯導電膜3沉積于減反射膜2上,厚度為25nm。正電極4設有4根,寬度為1.2mm,其上均勻的開設有長條形鏤空。
如上所述,盡管參照特定的優選實施例已經表示和表述了本實用新型,但其不得解釋為對本實用新型自身的限制。在不脫離所附權利要求定義的本實用新型的精神和范圍前提下,可對其在形式上和細節上作出各種變化。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





