[實用新型]一種晶體硅太陽能電池結構有效
| 申請號： | 201420687743.6 | 申請日： | 2014-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN204289471U | 公開（公告）日： | 2015-04-22 |
| 發明（設計）人： | 黃鈞林;周肅;范維濤;黃青松;勾憲芳 | 申請（專利權）人： | 中節能太陽能科技（鎮江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;H01L31/02 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 徐瑩 |
| 地址： | 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體 太陽能電池 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶體硅太陽能電池結構，其特征在于：包括硅襯底片、減反射膜、石墨烯導電膜、正電極、鋁背場和背電極，所述正電極和背電極分別直接燒結在硅襯底片的正面及反面，所述減反射膜和石墨烯導電膜依次覆蓋在硅襯底片的正面，所述鋁背場覆蓋在硅襯底片的反面。
2.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池結構，其特征在于：所述減反射膜上均勻的設有線形或點狀的激光開槽。
3.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池結構，其特征在于：所述石墨烯膜的厚度為2~500nm。
4.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池結構，其特征在于：所述正電極的寬度為1~2mm，數量為2~10根。
5.根據權利要求1或4所述的晶體硅太陽能電池結構，其特征在于：所述正電極上設有鏤空。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中節能太陽能科技（鎮江）有限公司，未經中節能太陽能科技（鎮江）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420687743.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
