[實(shí)用新型]離子注入均勻性調(diào)整裝置以及離子注入裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420684644.2
• 申請(qǐng)日: 2014-11-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204167254U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳策
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 昆山國(guó)顯光電有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01J37/21
• 分類(lèi)號(hào): H01J37/21;H01J37/317
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種離子注入均勻性調(diào)整裝置以及離子注入裝置。

背景技術(shù)

離子注入是將改變導(dǎo)電率的雜質(zhì)引入半導(dǎo)體材料中的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。所需要的雜質(zhì)材料在離子源中被離子化，離子被加速成具有規(guī)定能量的離子束，而且離子束對(duì)準(zhǔn)晶片或平板的表面。射束中的高能離子深入半導(dǎo)體材料的主體并且嵌入半導(dǎo)體材料的晶格形成導(dǎo)電率符合需要的區(qū)域。

采用離子注入工藝在單晶或多晶硅等材料中摻雜，是制造平板顯示器過(guò)程中使用的一種常規(guī)工藝過(guò)程。面板尺寸越大，離子注入所需的時(shí)間就越長(zhǎng)，因此要想達(dá)到注入劑量均勻性和注入角度均勻性也變得越來(lái)越困難。

為了動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)注入劑量等注入?yún)?shù)以確保注入均勻性，制作平板顯示器所采用的離子注入裝置中通常采用反饋控制系統(tǒng)，所述反饋控制系統(tǒng)包括由一系列均勻分布的法拉第杯組成的法拉第杯組以及控制單元。如圖1所示，制作平板顯示器所采用的離子注入裝置的離子束1呈豎直帶狀分布，法拉第杯組3設(shè)置于離子束注入?yún)^(qū)域內(nèi)，對(duì)基板2進(jìn)行注入前，所述法拉第杯組3接收離子束并將所述離子束1轉(zhuǎn)化為電流再將上述電流信息反饋至控制單元，控制單元根據(jù)上述電流信息調(diào)整離子源注入?yún)?shù)，然后根據(jù)上述離子源注入?yún)?shù)，移動(dòng)底座帶動(dòng)基板2在水平方向上移動(dòng)進(jìn)而完成離子注入過(guò)程。通過(guò)基板2在水平方向上來(lái)回掃描可實(shí)現(xiàn)基板水平方向上注入離子的均勻分布。然而，實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，檢測(cè)離子注入后的基板時(shí)經(jīng)常出現(xiàn)基板豎直方向上注入不均勻的情況，影響產(chǎn)品的良率。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種提高基板豎直方向上注入均勻性的離子注入均勻性調(diào)整裝置以及離子注入裝置。

為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種離子注入均勻性調(diào)整裝置，包括：反饋控制系統(tǒng)、與所述反饋控制系統(tǒng)電連接的驅(qū)動(dòng)裝置，及由所述驅(qū)動(dòng)裝置根據(jù)所述反饋控制系統(tǒng)的反饋信息驅(qū)動(dòng)從而使得所述基板相對(duì)離子束發(fā)生傾斜的基板夾持裝置。

可選的，在所述的離子注入均勻性調(diào)整裝置中，所述基板夾持裝置包括橫向支架以及與所述橫向支架連接的豎向支架，所述橫向支架以及豎向支架上均設(shè)置有多個(gè)固定夾。

可選的，在所述的離子注入均勻性調(diào)整裝置中，所述橫向支架與所述豎向支架固定連接形成一“L”型結(jié)構(gòu)。

可選的，在所述的離子注入均勻性調(diào)整裝置中，所述驅(qū)動(dòng)裝置為電機(jī)，所述電機(jī)通過(guò)設(shè)置的傳動(dòng)軸與所述橫向支架連接。

可選的，在所述的離子注入均勻性調(diào)整裝置中，所述驅(qū)動(dòng)裝置為電機(jī)，所述電機(jī)通過(guò)設(shè)置的傳動(dòng)軸與所述豎向支架連接。

可選的，在所述的離子注入均勻性調(diào)整裝置中，所述離子注入均勻性調(diào)整裝置還包括移動(dòng)底座，所述驅(qū)動(dòng)裝置固定于所述移動(dòng)底座上。

可選的，在所述的離子注入均勻性調(diào)整裝置中，所述反饋控制系統(tǒng)包括法拉第杯組以及與所述法拉第杯組連接的控制單元，所述驅(qū)動(dòng)裝置與所述控制單元連接。

可選的，在所述的離子注入均勻性調(diào)整裝置中，所述法拉第杯組由若干豎直均勻排列的法拉第杯組成。

本實(shí)用新型還提供一種離子注入裝置，包括如上所述的離子注入均勻性調(diào)整裝置。

可選的，在所述的離子注入裝置中，還包括離子源和束流傳輸系統(tǒng)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供一種離子注入均勻性調(diào)整裝置，所述離子注入均勻性調(diào)整裝置包括反饋控制系統(tǒng)、與所述反饋控制系統(tǒng)電連接的驅(qū)動(dòng)裝置及由所述驅(qū)動(dòng)裝置根據(jù)所述反饋控制系統(tǒng)的反饋信息驅(qū)動(dòng)從而使得所述基板相對(duì)離子束發(fā)生傾斜的基板夾持裝置。對(duì)基板注入前，所述反饋控制系統(tǒng)檢測(cè)離子束的均勻性，并根據(jù)檢測(cè)結(jié)果通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)裝置控制所述基板夾持裝置帶動(dòng)所述基板相對(duì)于離子束方向向前或向后傾斜一定角度從而調(diào)節(jié)到達(dá)基板表面的離子密度，提高基板豎直方向上的注入均勻性。

附圖說(shuō)明

圖1是離子注入裝置的反饋控制系統(tǒng)的工作原理示意圖。

圖2是本實(shí)用新型的離子注入均勻性調(diào)整裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3a-3c是本實(shí)用新型的離子注入均勻性調(diào)整裝置的工作原理示意圖。

具體實(shí)施方式