[實(shí)用新型]一種適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420683538.2
• 申請(qǐng)日: 2014-11-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204145444U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-02-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李新富;歐余斯;程亮亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州桑尼能源科技有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/567
• 分類號(hào): H03K17/567;H03K19/14
• 代理公司: 杭州新源專利事務(wù)所(普通合伙) 33234
• 代理人: 李大剛;劉曉陽(yáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種抗干擾電路，特別是一種應(yīng)用于光伏逆變器中的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)

光伏逆變器中通常都會(huì)包含有驅(qū)動(dòng)電路用于控制MOS或IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷。然而一般驅(qū)動(dòng)電路在工作過(guò)程中，要求根據(jù)DSP發(fā)出的PWM信號(hào)，準(zhǔn)確無(wú)誤的控制MOS或IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷，以實(shí)現(xiàn)光伏逆變器所要求的功能；但是由于逆變器內(nèi)部高低頻信號(hào)重疊或者布局不合理的情況下，其他的一些信號(hào)就會(huì)干擾到DSP發(fā)出的PWM信號(hào)，從而導(dǎo)致無(wú)法正確的控制MOS或IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷，以致MOS或IGBT損壞。然而現(xiàn)有的部分抗干擾驅(qū)動(dòng)電路雖然可以實(shí)現(xiàn)抗干擾的作用，但電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，使用的元器件成本較高，所需要的PCB體積也相對(duì)較大。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于，提供一種適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路。它可以起到高效的抗EMI干擾的作用，從而可以達(dá)到防止MOS或IGBT誤開(kāi)通和關(guān)斷的目的，而且電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本較低、需要的體積也較小。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案：一種適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路，其特點(diǎn)是：包括光耦和輸入端連接在DSP的IO口或PWM口上的非門電路；所述光耦內(nèi)的發(fā)光二極管陽(yáng)級(jí)連接至第一電源，光耦內(nèi)的發(fā)光二極管陰級(jí)經(jīng)過(guò)第一限流電阻連接至非門電路的輸出端，所述非門電路的輸出端還設(shè)有一個(gè)上拉電阻，上拉電阻與第二電源相連，所述光耦的信號(hào)輸出端連接至受控的IGBT或MOS。

上述的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路中，所述光耦內(nèi)的發(fā)光二極管陽(yáng)級(jí)的陰陽(yáng)兩極之間連接有穩(wěn)壓電阻，具有為發(fā)光二極管穩(wěn)壓的作用。

前述的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路中，所述非門電路的輸入端設(shè)有下拉電阻，可以起到防止靜電對(duì)芯片造成損壞，增強(qiáng)芯片信號(hào)輸入的抗干擾能力。

前述的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路中，所述光耦內(nèi)的發(fā)光二極管陽(yáng)級(jí)的陽(yáng)極上設(shè)有接地的電容，可以給電源濾波，降低電路對(duì)電源的干擾。

前述的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路中，所述DSP的IO口或是PWM口在實(shí)現(xiàn)抗干擾驅(qū)動(dòng)電路時(shí)輸出PWM信號(hào)或?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)IGBT或MOS所需要的高低電平。

本實(shí)用新型中的一些術(shù)語(yǔ)的解釋如下：IGBT-絕緣柵雙極型晶體管，MOS-場(chǎng)效應(yīng)管，DSP-數(shù)字信號(hào)處理器，IO-輸入/輸出,PWM-脈沖寬度調(diào)制,

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型通過(guò)非門電路、光耦的驅(qū)動(dòng)電路和上拉電阻的配合工作，實(shí)現(xiàn)了DSP的IO口或PWM口輸出信號(hào)的電平轉(zhuǎn)換，將容易受到干擾的芯片輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為不易受到干擾的電源信號(hào)，從而使驅(qū)動(dòng)電路具有高性能的抗干擾功能，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)證明在相同情況下(相同驅(qū)動(dòng)信號(hào)、PCB回路面積相同等)，本專利的驅(qū)動(dòng)電路可使電路中的干擾減少90％以上。而且本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、元器件使用較少、成本較低，運(yùn)行穩(wěn)定性高。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明，但并不作為對(duì)本實(shí)用新型限制的依據(jù)。

實(shí)施例。一種適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路，如圖1所示：包括光耦OC和輸入端連接在DSP的IO口或PWM口上的非門電路NOT1；所述光耦OC內(nèi)的發(fā)光二極管陽(yáng)級(jí)連接至第一電源VCC1，光耦OC內(nèi)的發(fā)光二極管陰級(jí)經(jīng)過(guò)第一限流電阻R3連接至非門電路NOT1的輸出端，所述非門電路NOT1的輸出端還設(shè)有一個(gè)上拉電阻R2，上拉電阻R2與第二電源VCC2相連，所述光耦OC的信號(hào)輸出端連接至受控的IGBT或MOS。所述光耦OC內(nèi)的發(fā)光二極管陽(yáng)級(jí)的陰陽(yáng)兩極之間連接有穩(wěn)壓電阻R4。所述非門電路NOT1的輸入端設(shè)有下拉電阻R1。所述光耦OC內(nèi)的發(fā)光二極管陽(yáng)級(jí)的陽(yáng)極上設(shè)有電容C1，給電源VCC1濾波，降低電路對(duì)VCC1的干擾。所述DSP的IO口或是PWM口在實(shí)現(xiàn)抗干擾驅(qū)動(dòng)電路時(shí)輸出PWM信號(hào)或?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)IGBT或MOS所需要的高低電平。光耦OC上設(shè)有光耦輸出端電源VCC3和電阻R5。

本實(shí)用新型的工作原理：