[實用新型]一種適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420683538.2 | 申請日： | 2014-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN204145444U | 公開（公告）日： | 2015-02-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李新富;歐余斯;程亮亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 杭州桑尼能源科技有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/567 | 分類號： | H03K17/567;H03K19/14 |
| 代理公司： | 杭州新源專利事務(wù)所(普通合伙) 33234 | 代理人： | 李大剛;劉曉陽 |
| 地址： | 311500 浙江省杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 適用于 igbt mos 性能 抗干擾 驅(qū)動 電路 | ||
1.一種適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動電路，其特征在于：包括光耦(OC)和輸入端連接在DSP的IO口或PWM口上的非門電路(NOT1)；所述光耦(OC)內(nèi)的發(fā)光二極管陽級連接至第一電源(VCC1)，光耦(OC)內(nèi)的發(fā)光二極管陰級經(jīng)過第一限流電阻(R3)連接至非門電路(NOT1)的輸出端，所述非門電路(NOT1)的輸出端還設(shè)有一個上拉電阻(R2)，上拉電阻(R2)與第二電源(VCC2)相連，所述光耦(OC)的信號輸出端連接至受控的IGBT或MOS。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動電路，其特征在于：所述光耦(OC)內(nèi)的發(fā)光二極管陽級的陰陽兩極之間連接有穩(wěn)壓電阻(R4)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動電路，其特征在于：所述非門電路(NOT1)的輸入端設(shè)有下拉電阻(R1)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動電路，其特征在于：所述光耦(OC)內(nèi)的發(fā)光二極管陽級的陽極上設(shè)有接地的電容(C1)。
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