[實(shí)用新型]一種電子元件雙面鍍膜裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420652357.3 | 申請(qǐng)日: | 2014-11-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN204162775U | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘振強(qiáng);朱宇彬 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 肇慶市振華真空機(jī)械有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/34 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/34;C23C14/50 |
| 代理公司: | 廣州新諾專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44100 | 代理人: | 曹愛(ài)紅 |
| 地址: | 526020 廣東省肇慶市端*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電子元件 雙面 鍍膜 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于連接鍍膜設(shè)置的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種電子元件雙面鍍膜裝置。
背景技術(shù)
目前連續(xù)鍍膜生產(chǎn)線的基片傳動(dòng)方式主要有兩種,一種是可雙面鍍膜的立式,另一種是臥式單面鍍膜。由于電子元件的基片形狀與尺寸關(guān)系,立式鍍膜效果不好,基本上都是臥式單面鍍膜為主,一般是平面靶安裝在上方向下濺射,電子元件從濺射靶下方平行單向移動(dòng),實(shí)現(xiàn)鍍膜。如果需要雙面鍍膜,只能采用先鍍完元件的一面,翻轉(zhuǎn)電子元件后,再鍍另一面的作業(yè)方式。這樣的工作效率低,浪費(fèi)能源,而且生產(chǎn)流程中工序多,良率會(huì)下降。
常規(guī)平面靶如果安裝在下方,向上濺射時(shí)很容易出現(xiàn)脫落的膜層雜物掉在靶材表面,導(dǎo)致膜料成分受到污染影響膜層質(zhì)量。
實(shí)用新型內(nèi)容
為了克服上述電子元件雙面鍍膜效率低,良率低的技術(shù)缺陷,本實(shí)用新型提供一種鍍膜質(zhì)量高、全自動(dòng)的電子元件雙面鍍膜裝置。
為了解決上述問(wèn)題,本實(shí)用新型按以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的:
本實(shí)用新型所述包括輸送機(jī)構(gòu)、輸送平臺(tái)、以及若干設(shè)置在輸送機(jī)構(gòu)上方的上濺射靶和若干設(shè)置在輸送機(jī)構(gòu)下方的下濺射靶;所述輸送平臺(tái)上設(shè)置有用于放置電子元件的若干放置孔;
所述上濺射靶與下濺射靶均為旋轉(zhuǎn)圓柱形濺射靶;
所述輸送機(jī)構(gòu)包括長(zhǎng)傳動(dòng)輥和短傳動(dòng)輥,其中短傳動(dòng)輥與下濺射靶設(shè)置在同一豎直平面上,目的是除了滿(mǎn)足傳動(dòng)支撐,還有避免遮擋濺射區(qū)域。
進(jìn)一步地,為了方便上料和下料,所述電子元件通過(guò)夾具固定,所述夾具包括用于遮擋電子元件的上夾板與下夾板以及用于固定電子元件的中間定位板。上夾板和下夾板將電子元件不需要鍍膜的位置遮擋,將面要鍍膜的位置顯露出來(lái),中間定位板將電子元件定位固定。
進(jìn)一步地,所述輸送機(jī)構(gòu)前端設(shè)置有用于控制所述上濺射靶和所述下濺射靶開(kāi)啟的第一行程開(kāi)關(guān),所述輸送機(jī)構(gòu)末端設(shè)置有用于控制所述上濺射靶和所述下濺射靶關(guān)閉的第二行程開(kāi)關(guān),使得輸送平臺(tái)進(jìn)入鍍膜區(qū)域時(shí),觸碰第一行程開(kāi)關(guān),開(kāi)啟上濺射靶和下濺射靶,輸送平臺(tái)離開(kāi)鍍膜區(qū)域時(shí),觸碰第二行程開(kāi)關(guān),關(guān)閉上濺射靶和下濺射靶。
進(jìn)一步地,由于鍍膜環(huán)境需要的溫度非常高,所述第一行程開(kāi)關(guān)和第二行程開(kāi)關(guān)均為耐高溫開(kāi)關(guān)。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果是:
本實(shí)用新型采用旋轉(zhuǎn)的圓柱濺射靶,使掉落在濺射靶上的雜物,濺射靶轉(zhuǎn)動(dòng),使其自動(dòng)掉落,并且合理設(shè)置傳動(dòng)輥,使用長(zhǎng)傳動(dòng)輥與短傳動(dòng)輥間隔設(shè)置,短傳動(dòng)輥支承輸送平臺(tái)兩側(cè),避免了傳動(dòng)輥遮擋濺射靶濺射的問(wèn)題。在鍍膜區(qū)域的前端和末端設(shè)置行程開(kāi)關(guān),使得輸送平臺(tái)進(jìn)入鍍膜區(qū)時(shí)自動(dòng)觸碰第一行程開(kāi)關(guān),上濺射靶和下濺射靶開(kāi)啟,進(jìn)行濺射鍍膜,當(dāng)輸送平臺(tái)離開(kāi)鍍膜區(qū)域,觸碰到第二行程開(kāi)關(guān),上濺射靶和下濺射靶關(guān)閉,停止濺射鍍膜,實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化,而且能同時(shí)雙面鍍膜,效率高,減小工人工作量,并且保證了鍍膜高品質(zhì)。
附圖說(shuō)明
下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明,其中:
圖1是本實(shí)用新型所述電子元件雙面鍍膜裝置的工作示意圖;
圖2是本實(shí)用新型所述電子元件雙面鍍膜裝置的傳動(dòng)示意圖。
圖中:1-上濺射靶,2-輸送平臺(tái),3-輸送機(jī)構(gòu),31-短傳動(dòng)輥,32-長(zhǎng)傳動(dòng)輥,4-下濺射靶,5-第一行程開(kāi)關(guān),6-第二行程開(kāi)關(guān)。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明,應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說(shuō)明和解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。
如圖1~圖2所示,本實(shí)用新型所述電子元件雙面鍍膜裝置,包括輸送機(jī)構(gòu)3、設(shè)置在輸送機(jī)構(gòu)3上的輸送平臺(tái)2、以及若干設(shè)置在輸送機(jī)構(gòu)3上方的上濺射靶1和若干設(shè)置在輸送機(jī)構(gòu)3下方的下濺射靶4;所述輸送平臺(tái)2上設(shè)置有用于放置電子元件的若干放置孔21;
所述上濺射靶1為旋轉(zhuǎn)圓柱濺射靶,所述下濺射靶4為旋轉(zhuǎn)形圓柱濺射靶;
所述輸送機(jī)構(gòu)3包括長(zhǎng)傳動(dòng)輥32和短傳動(dòng)輥31,所述短傳動(dòng)輥31支撐所述輸送平臺(tái)2寬度方向的兩側(cè);所述短傳動(dòng)輥32與下濺射靶4設(shè)置在同一豎直平面上,預(yù)留下濺射靶4噴出的鍍膜通過(guò)的空間。
所述電子元件通過(guò)夾具固定,所述夾具包括用于遮擋電子元件的上夾板與下夾板以及用于固定電子元件的中間定位板。
所述輸送機(jī)構(gòu)3前端設(shè)置有用于控制所述上濺射靶1和所述下濺射靶4開(kāi)啟的第一行程開(kāi)關(guān)5,所述輸送機(jī)構(gòu)3末端設(shè)置有用于控制所述上濺射靶1和所述下濺射靶4關(guān)閉的第二行程開(kāi)關(guān)6。所述第一行程開(kāi)關(guān)5和第二行程開(kāi)關(guān)6均為耐高溫開(kāi)關(guān)。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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