[實用新型]半導體組件

有效

• 申請號: 201420645843.2
• 申請日: 2014-10-31
• 公開（公告）號: CN204230222U
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 藍誠宇;王亮;徐文輝
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/498
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 賈玉姣

1.一種半導體組件，其特征在于，包括：

第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板沿上下方向間隔開設置，所述第一基板和所述第二基板上分別設有第一主電極和第二主電極；

半導體芯片，所述半導體芯片設在所述第一基板和/或所述第二基板上且位于所述第一基板和所述第二基板之間；

金屬塊，所述金屬塊設在所述半導體芯片上，所述金屬塊的一側與所述半導體芯片相連，另一側與所述第一基板或所述第二基板相連；

多個信號電極，多個所述信號電極分別設在所述第一基板和/或所述第二基板上，多個所述信號電極中的至少一個與所述半導體芯片電連接，

所述第一主電極與所述第一基板之間、所述第二主電極與所述第二基板之間、所述半導體芯片與所述第一基板或所述第二基板之間、所述金屬塊與所述半導體芯片之間、所述金屬塊與所述第一基板或所述第二基板之間、所述信號電極與所述第一基板和/或所述第二基板之間分別通過金屬連接層相連。

2.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述第一基板設在所述第二基板下方，所述半導體芯片設在所述第一基板的上表面上，所述金屬塊設在所述半導體芯片和所述第二基板之間，所述第一基板和所述第二基板上分別設有所述信號電極。

3.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述第一基板設在所述第二基板下方，所述第一基板上還設有第三主電極，所述第一基板的上表面和所述第二基板的下表面上分別設有所述半導體芯片，所述第一基板和所述第二基板上的所述半導體芯片在上下方向上錯開布置，所述第一基板上的所述半導體芯片與所述第二基板之間以及所述第二基板上的所述半導體芯片與所述第一基板之間分別設有所述金屬塊。

4.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述信號電極通過鍵合引線與所述半導體芯片相連，所述鍵合引線為鋁線、銅線或者金線中的一種。

5.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述半導體芯片為選自絕緣柵雙極型晶體管、金屬-氧化層半導體場效晶體管、晶體二極管中的至少一種。

6.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述金屬塊為選自銅塊、鋁塊和鉬塊中的至少一種，所述金屬塊在所述第一基板和所述第二基板之間的厚度為1-3mm。

7.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述金屬塊在所述半導體芯片上的正投影的面積小于所述半導體芯片的面積。

8.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述金屬塊的與所述半導體芯片相連的側壁面上設有用于避讓所述半導體芯片的絕緣部分的避讓槽，所述避讓槽為矩形槽、梯形槽、錐形槽或者異形槽。

9.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板分別為覆金屬陶瓷基板，所述覆金屬陶瓷基板的陶瓷層為氧化鋁、氮化鋁和氮化硅中的至少一種，所述覆金屬陶瓷基板的金屬層為銅或鋁。

10.根據權利要求9所述的半導體組件，其特征在于，所述覆金屬陶瓷基板的金屬層和所述金屬塊的表面上分別設有鍍鎳層或者鍍金層。