[實(shí)用新型]半導(dǎo)體組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420645843.2
• 申請日: 2014-10-31
• 公開（公告）號: CN204230222U
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藍(lán)誠宇;王亮;徐文輝
• 申請（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/498
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 賈玉姣

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種半導(dǎo)體組件。

背景技術(shù)

目前半導(dǎo)體芯片多采用單面焊接直接焊接到陶瓷基板上，另一面多采用引線鍵合引出到電極端子，構(gòu)成單面散熱的功率模塊。單面半導(dǎo)體功率模塊在工作過程中，半導(dǎo)體所產(chǎn)生的熱量通過陶瓷基板、銅基板傳遞至散熱器。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展要求，芯片的功率密度越來越大，功率模塊的封裝尺寸越來越小，半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱量若不能及時(shí)地散出，將會(huì)影響功率模塊的性能，甚至燒毀芯片。單面半導(dǎo)體功率模塊內(nèi)部引線鍵合點(diǎn)與芯片接觸面積較少，只有極少的一部分熱量可以通過鍵合點(diǎn)散出，而且鍵合點(diǎn)、鍵合引線的不規(guī)則性使得模塊的這一面無法連接散熱器進(jìn)行散熱，而且鍵合點(diǎn)一直是功率模塊可靠性的薄弱部分，長時(shí)間的工作后將增加模塊失效的風(fēng)險(xiǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型旨在至少在一定程度上解決上述技術(shù)問題之一。

為此，本實(shí)用新型提出一種半導(dǎo)體組件，所述半導(dǎo)體組件的散熱效率高。

根據(jù)本實(shí)用新型的半導(dǎo)體組件，包括：第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板沿上下方向間隔開設(shè)置，所述第一基板和所述第二基板上分別設(shè)有第一主電極和第二主電極；半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片設(shè)在所述第一基板和/或所述第二基板上且位于所述第一基板和所述第二基板之間；金屬塊，所述金屬塊設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片上，所述金屬塊的一側(cè)與所述半導(dǎo)體芯片相連，另一側(cè)與所述第一基板或所述第二基板相連；多個(gè)信號電極，多個(gè)所述信號電極分別設(shè)在所述第一基板和/或所述第二基板上，多個(gè)所述信號電極中的至少一個(gè)與所述半導(dǎo)體芯片電連接，所述第一主電極與所述第一基板之間、所述第二主電極與所述第二基板之間、所述半導(dǎo)體芯片與所述第一基板或所述第二基板之間、所述金屬塊與所述半導(dǎo)體芯片之間、所述金屬塊與所述第一基板或所述第二基板之間、所述信號電極與所述第一基板和/或所述第二基板之間分別通過金屬連接層相連。

根據(jù)本實(shí)用新型的半導(dǎo)體組件，通過在半導(dǎo)體芯片的上下兩側(cè)分別設(shè)置第一基板和第二基板，半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱量可以通過第一基板和第二基板同時(shí)散熱，大大提高了半導(dǎo)體組件的散熱效率，實(shí)現(xiàn)了降低半導(dǎo)體組件溫升、半導(dǎo)體芯片結(jié)溫的目的。

本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。

附圖說明

本實(shí)用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖2是圖1中的半導(dǎo)體組件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖1中的半導(dǎo)體組件的第一基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是圖1中的半導(dǎo)體組件的第二基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是圖1中的半導(dǎo)體組件的半導(dǎo)體芯片和熱敏電阻的電路圖；

圖6是根據(jù)本實(shí)用新型另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖7是圖6中的半導(dǎo)體組件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是圖6中的半導(dǎo)體組件的第一基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是圖6中的半導(dǎo)體組件的第二基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是圖6中半導(dǎo)體組件的半導(dǎo)體芯片和熱敏電阻的電路圖。

附圖標(biāo)記：

半導(dǎo)體組件100a(100b)；

第一基板11；第二基板12；第一主電極21a(21b)；第二主電極22a(22b)；第三主電極23b；半導(dǎo)體芯片30；金屬塊40；避讓槽41；信號電極50a(50b)；金屬連接層60；鍵合引線70；樹脂80；熱敏電阻90。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對本實(shí)用新型的限制。

在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實(shí)用新型的限制。