[實(shí)用新型]一種可控硅投切的無功功率補(bǔ)償裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420641004.3
• 申請(qǐng)日: 2014-10-31
• 公開（公告）號(hào): CN204089209U
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃紅軍;高慶雨;黃華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海一德電氣科技有限公司
• 主分類號(hào): H02J3/18
• 分類號(hào): H02J3/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種無功補(bǔ)償裝置，尤其涉及一種可控硅投切的無功功率補(bǔ)償裝置。

背景技術(shù)

交流電通過電阻的時(shí)候電能都轉(zhuǎn)成了熱能，而在通過容性或者感性負(fù)載的時(shí)候并不做功，沒有消耗電能，即為無功功率。實(shí)際負(fù)載一般都是感性負(fù)載，這樣電流在通過它們的時(shí)候，就有部分電能不做功，就是無功功率，此時(shí)的功率因數(shù)小于1，為了提高電能的利用率，就要進(jìn)行無功補(bǔ)償。

在現(xiàn)有的電力系統(tǒng)中，大量負(fù)荷是單相供電，會(huì)導(dǎo)致三相負(fù)荷不平衡，所以三相所需要的無功功率不完全相同。現(xiàn)有低壓動(dòng)態(tài)無功功率補(bǔ)償主要是三相共補(bǔ)模式，針對(duì)三相負(fù)荷不平衡的應(yīng)用場(chǎng)合，補(bǔ)償效果達(dá)不到目標(biāo)要求。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種單相分補(bǔ)和三相共補(bǔ)結(jié)合的可控硅投切的無功功率補(bǔ)償裝置，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：

一種可控硅投切的無功功率補(bǔ)償裝置，包括智能控制器、電容電抗單元和投切開關(guān)單元，所述智能控制器與所述投切開關(guān)單元相連接，所述投切開關(guān)單元與電容電抗單元相連接；所述電容電抗單元包括并聯(lián)電容器和串聯(lián)電抗器，并聯(lián)電容器連接串聯(lián)電抗器，所述并聯(lián)電容器包括單相并聯(lián)電容器和三相并聯(lián)電容器，所述串聯(lián)電抗器為三相干式鐵芯電抗器，所述投切開關(guān)單元包括可控硅和可控硅觸發(fā)電路，所述可控硅與可控硅觸發(fā)電路連接。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的方案：所述并聯(lián)電容器的額定容量為10-60KF。

作為本實(shí)用新型再進(jìn)一步的方案：所述串聯(lián)電抗器的電抗率為1-14%。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：

本實(shí)用新型采用晶閘管投切電容器，并且通過控制晶閘管的導(dǎo)通和截止來實(shí)現(xiàn)無沖擊投切電容器，即使頻繁投切電容器也不會(huì)對(duì)電網(wǎng)造成沖擊，當(dāng)電網(wǎng)的負(fù)荷發(fā)生快速變化的時(shí)候，本實(shí)用新型也可以快速跟蹤響應(yīng)，響應(yīng)時(shí)間可以達(dá)到20ms以內(nèi)。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型中電容電抗單元的第一種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實(shí)用新型中電容電抗單元的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本實(shí)用新型中電容電抗單元的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為本實(shí)用新型中電容電抗單元的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1-電容電抗單元；2-智能控制器；3-投切開關(guān)單元；100-電容器；200-電力電子開關(guān)；300-電抗器。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施方式對(duì)本專利的技術(shù)方案作進(jìn)一步詳細(xì)地說明。

請(qǐng)參閱圖1，一種可控硅投切的無功功率補(bǔ)償裝置，包括智能控制器2、電容電抗單元1和投切開關(guān)單元3，所述智能控制器2與所述投切開關(guān)單元3相連接，所述投切開關(guān)單元3與電容電抗單元1相連接；所述電容電抗單元1包括并聯(lián)電容器和串聯(lián)電抗器，所述并聯(lián)電容器連接串聯(lián)電抗器，所述并聯(lián)電容器包括單相并聯(lián)電容器和三相并聯(lián)電容器，并聯(lián)電容器的額定容量為10-60KF，串聯(lián)電抗器的電抗率為1-14%，所述串聯(lián)電抗器為三相干式鐵芯電抗器，所述投切開關(guān)單元3包括可控硅和可控硅觸發(fā)電路，所述可控硅與可控硅觸發(fā)電路連接。

所述可控硅投切的無功功率補(bǔ)償裝置在使用時(shí)，通過智能控制器2采集三相電壓電流數(shù)據(jù)并分別計(jì)算三相需要補(bǔ)償?shù)臒o功功率，再根據(jù)需要補(bǔ)償?shù)臒o功功率判斷需要投入或切除的電容電抗單元1的組別，投切開關(guān)單元2控制需要的電容電抗單元1投入或切除電網(wǎng)進(jìn)行無功補(bǔ)償。

請(qǐng)參閱圖1-2，一種可控硅投切的無功功率補(bǔ)償裝置，電容電抗單元1包括電容器100和電力電子開關(guān)200，電力電子開關(guān)200由一對(duì)反并聯(lián)晶閘管及觸發(fā)電路組成，并且兩只晶閘管分別與電容器100連接，通過控制晶閘管的導(dǎo)通和截止相位來實(shí)現(xiàn)無沖擊投切電容電抗單元1，晶閘管采用光電觸發(fā)電路，電容電抗單元1為模塊化無功補(bǔ)償；投切開關(guān)單元3的觸發(fā)電路判斷電容器100的電壓電流的幅值和相位，通過與電網(wǎng)電源的電壓電流的幅值和相位相比較，控制晶閘管的導(dǎo)通或截止，使電容電抗單元1投入或切除電網(wǎng)。

請(qǐng)參閱圖3，一種可控硅投切的無功功率補(bǔ)償裝置，電容電抗單元1包括電容器100、電力電子開關(guān)200和電抗器300，電力電子開關(guān)200由一對(duì)反并聯(lián)晶閘管及觸發(fā)電路組成，并且兩只晶閘管分別與電抗器300相連接，電抗器300和電容器200相連接，從而使得電抗器300串接在電容器200和電力電子開關(guān)100之間。