[實用新型]一種可控硅投切的無功功率補償裝置有效
| 申請號: | 201420641004.3 | 申請日: | 2014-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN204089209U | 公開(公告)日: | 2015-01-07 |
| 發明(設計)人: | 黃紅軍;高慶雨;黃華 | 申請(專利權)人: | 上海一德電氣科技有限公司 |
| 主分類號: | H02J3/18 | 分類號: | H02J3/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201612 上海市松江*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 可控硅 無功功率 補償 裝置 | ||
1.一種可控硅投切的無功功率補償裝置,包括智能控制器(2)、電容電抗單元(1)和投切開關單元(3),其特征在于,所述智能控制器(2)與所述投切開關單元(3)相連接,所述投切開關單元(3)與電容電抗單元(1)相連接;所述電容電抗單元(1)包括并聯電容器和串聯電抗器,并聯電容器連接串聯電抗器,所述并聯電容器包括單相并聯電容器和三相并聯電容器,所述串聯電抗器為三相干式鐵芯電抗器,所述投切開關單元(3)包括可控硅和可控硅觸發電路,所述可控硅與可控硅觸發電路連接。
2.根據權利要求1所述的可控硅投切的無功功率補償裝置,其特征在于,所述并聯電容器的額定容量為10-60KF。
3.根據權利要求1所述的可控硅投切的無功功率補償裝置,其特征在于,所述串聯電抗器的電抗率為1-14%。
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