[實用新型]等離子體引入損傷的測試結構有效
| 申請號： | 201420635915.5 | 申請日： | 2014-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN204155929U | 公開（公告）日： | 2015-02-11 |
| 發明（設計）人： | 程凌霄 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 100176 北京市大興*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 引入 損傷 測試 結構 | ||
1.一種等離子體引入損傷的測試結構，其特征在于，所述測試結構至少包括：MOS晶體管、第一焊墊、第二焊墊、第三焊墊和第四焊墊；
所述MOS晶體管包括柵極、源極、漏極和襯底；所述MOS晶體管的柵極與所述第一焊墊電連接，所述MOS晶體管的源極與所述第二焊墊電連接，所述MOS晶體管的漏極與所述第三焊墊電連接，所述MOS晶體管的襯底與所述第四焊墊電連接。
2.根據權利要求1所述的等離子體引入損傷的測試結構，其特征在于：所述第一焊墊橫截面的形狀為正方形。
3.根據權利要求1所述的等離子體引入損傷的測試結構，其特征在于：所述第一焊墊橫截面的形狀為表面設有圓形通孔的正方形。
4.根據權利要求1所述的等離子體引入損傷的測試結構，其特征在于：所述第一焊墊橫截面的形狀為多個彼此互相平行、兩端分別互相連接的條狀陣列。
5.根據權利要求1所述的等離子體引入損傷的測試結構，其特征在于：所述第一焊墊為多層金屬層堆疊結構，其中所述堆疊結構的一層金屬層為待檢測金屬層，所述待檢測金屬層的面積大于其他各層金屬層的面積。
6.根據權利要求5所述的等離子體引入損傷的測試結構，其特征在于：所述待檢測金屬層橫截面的形狀為正方形。
7.根據權利要求5所述的等離子體引入損傷的測試結構，其特征在于：所述待檢測金屬層橫截面的形狀為表面設有圓形通孔的正方形。
8.根據權利要求5所述的等離子體引入損傷的測試結構，其特征在于：所述待檢測金屬層橫截面的形狀為多個兩端分別互相連接的條狀。
9.根據權利要求1所述的等離子體引入損傷的測試結構，其特征在于：所述第一焊墊、所述第二焊墊、所述第三焊墊和所述第四焊墊均為鋁焊墊或銅焊墊。
10.根據權利要求1所述的等離子體引入損傷的測試結構，其特征在于：所述第一焊墊、所述第二焊墊、所述第三焊墊、所述第四焊墊和所述MOS晶體管位于同一直線上。
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