[實(shí)用新型]一種CMOS圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420635775.1
• 申請(qǐng)日: 2014-10-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204144261U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-02-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭同輝;曠章曲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京思比科微電子技術(shù)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京凱特來(lái)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11260
• 代理人: 鄭立明;趙鎮(zhèn)勇

1.一種CMOS圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)，包括置于半導(dǎo)體基體中的光電二極管、電荷傳輸晶體管、復(fù)位晶體管、源跟隨晶體管、選擇晶體管、漂浮有源區(qū)，其特征在于，所述電荷傳輸晶體管的柵極制作在所述半導(dǎo)體基體內(nèi)部，所述電荷傳輸晶體管的柵極與所述光電二極管之間設(shè)置有P型離子隔離區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電荷傳輸晶體管的柵極與光電二極管之間的距離大于等于0.2um，所述電荷傳輸晶體管的柵極與光電二極管之間的平行交疊區(qū)大于等于0.3um，所述電荷傳輸晶體管的柵極在半導(dǎo)體基體中的深度大于等于0.3um。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMOS圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電荷傳輸晶體管柵極的多晶硅側(cè)壁和底部設(shè)置有薄氧化層，所述薄氧化層的厚度為3nm～15nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的CMOS圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型離子隔離區(qū)的一側(cè)與所述光電二極管相接觸，另一側(cè)與所述電荷傳輸晶體管的柵極交疊0um～0.2um，所述P型離子隔離區(qū)的深度大于所述電荷傳輸晶體管柵極深度至少0.1um。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的CMOS圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述漂浮有源區(qū)與光電二極管之間設(shè)置有P型離子隔離區(qū),所述漂浮有源區(qū)與光電二極管的距離大于等于0.2um。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的CMOS圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電荷傳輸晶體管的柵極和漂浮有源區(qū)制作有P阱區(qū)，所述P阱區(qū)與P型離子隔離區(qū)相接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的CMOS圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述光電二極管為N型光電二極管，所述電荷傳輸晶體管、復(fù)位晶體管、源跟隨晶體管、選擇晶體管為N型晶體管。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的CMOS圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型離子隔離區(qū)的P型離子濃度為1E15Atom/cm³～1E17Atom/cm³。