[實(shí)用新型]相對(duì)法高真空、相對(duì)法低真空及膨脹法一體式校準(zhǔn)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420626210.7
• 申請(qǐng)日: 2014-10-27
• 公開（公告）號(hào): CN204142418U
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳俊華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京麥克思拓測控科技有限公司
• 主分類號(hào): G01L27/00
• 分類號(hào): G01L27/00
• 代理公司: 北京權(quán)泰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11460
• 代理人: 王道川

1.相對(duì)法高真空、相對(duì)法低真空及膨脹法一體式校準(zhǔn)裝置，其特征在于，包括箱體(100)和相對(duì)法高真空、相對(duì)法低真空及膨脹法一體式校準(zhǔn)系統(tǒng)(200)，所述相對(duì)法高真空、相對(duì)法低真空及膨脹法一體式校準(zhǔn)系統(tǒng)(200)設(shè)在所述箱體(100)內(nèi)；所述相對(duì)法高真空、相對(duì)法低真空及膨脹法一體式校準(zhǔn)系統(tǒng)(200)包括檢測管路、高真空校準(zhǔn)分系統(tǒng)(203)、低真空校準(zhǔn)分系統(tǒng)(204)、機(jī)械泵(201)和分子泵(202)；所述檢測管路包括導(dǎo)氣管、電阻規(guī)G₅(223)、電磁隔斷閥V₁₀(213)、手動(dòng)隔斷閥V₁(205)、微調(diào)閥V₅(209)和電磁隔斷閥V₉(212)；所述電阻規(guī)G₅(223)、所述電磁隔斷閥V₁₀(213)、所述分子泵(202)、所述手動(dòng)隔斷閥V₁(205)、所述微調(diào)閥V₅(209)和所述電磁隔斷閥V₉(212)通過導(dǎo)氣管依次連接；所述機(jī)械泵(201)依次經(jīng)過電磁放氣閥V₁₂(215)和擋油阱(216)與位于所述電阻規(guī)G₅(223)和所述電磁隔斷閥V₉(212)之間的所述檢測管路導(dǎo)通連接，所述高真空校準(zhǔn)分系統(tǒng)(203)與位于所述手動(dòng)隔斷閥V₁(205)和所述微調(diào)閥V₅(209)之間的所述檢測管路導(dǎo)通連接，所述低真空校準(zhǔn)分系統(tǒng)(204)與位于所述微調(diào)閥V₅(209)和所述電磁隔斷閥V₉(212)之間的所述檢測管路導(dǎo)通連接，位于所述手動(dòng)隔斷閥V₁(205)和所述微調(diào)閥V₅(209)之間的所述檢測管路與位于所述微調(diào)閥V₅(209)和所述電磁隔斷閥V₉(212)之間的所述檢測管路經(jīng)過手動(dòng)隔斷閥V₆(210)和膨脹閥V₇(211)導(dǎo)通連接，位于所述微調(diào)閥V₅(209)和所述電磁隔斷閥V₉(212)之間的所述檢測管路微調(diào)閥V₁₁(214)與氮?dú)獯鎯?chǔ)裝置(227)導(dǎo)通連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相對(duì)法高真空、相對(duì)法低真空及膨脹法一體式校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述高真空校準(zhǔn)分系統(tǒng)(203)包括高真空室(217)、監(jiān)測高真空電離規(guī)G₁(218)、標(biāo)準(zhǔn)電離真空規(guī)G₂(219)和高真空校準(zhǔn)接入端(225)，所述監(jiān)測高真空電離規(guī)G₁(218)與所述高真空室(217)導(dǎo)通連接，所述標(biāo)準(zhǔn)電離真空規(guī)G₂(219)與所述高真空室(217)導(dǎo)通連接，所述高真空室(217)通過手動(dòng)隔斷閥V₂(206)與所述高真空校準(zhǔn)接入端(225)導(dǎo)通連接，所述高真空室(217)與位于所述手動(dòng)隔斷閥V₁(205)和所述微調(diào)閥V₅(209)之間的所述檢測管路導(dǎo)通連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相對(duì)法高真空、相對(duì)法低真空及膨脹法一體式校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述低真空校準(zhǔn)分系統(tǒng)包括低真空室(224)、1000Torr標(biāo)準(zhǔn)薄膜規(guī)G₃(220)、1Torr標(biāo)準(zhǔn)薄膜規(guī)G₄(222)和低真空校準(zhǔn)接入端(226)，所述1000Torr標(biāo)準(zhǔn)薄膜規(guī)G₃(220)與所述低真空室(224)導(dǎo)通連接，所述1Torr標(biāo)準(zhǔn)薄膜規(guī)G₄(222)經(jīng)過手動(dòng)隔斷閥V₈(221)與所述低真空室(224)導(dǎo)通連接，所述低真空室(224)通過手動(dòng)隔斷閥V₄(208)與所述低真空校準(zhǔn)接入端(226)導(dǎo)通連接，所述低真空室(224)與位于所述電磁隔斷閥V₉(212)和所述微調(diào)閥V₅(209)之間的所述檢測管路導(dǎo)通連接，所述低真空室(224)通過手動(dòng)隔斷閥V₃(207)與所述高真空校準(zhǔn)接入端(225)導(dǎo)通連接。