[實用新型]發光二極管以及包括其的發光二極管模塊

有效

• 申請號: 201420613865.0
• 申請日: 2014-10-23
• 公開（公告）號: CN204348750U
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 郭德博;徐正毅
• 申請（專利權）人: 北京中科天順信息技術有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管，其特征在于，該發光二極管包括：

非摻雜層；

依次形成在該非摻雜層上的N型半導體層、量子阱發光層以及P型半導體層；

開槽，從該P型半導體層表面延伸到該N型半導體層表面或延伸到該N型半導體層中，開槽后剩余的P型半導體層、量子阱發光層及N型半導體層分別為P型半導體部、量子阱發光部及N型半導體部；

P型歐姆接觸層，形成在該P型半導體部上；

絕緣介質膜，形成在該開槽的側壁和該P型歐姆接觸層上；

金屬層，形成在該開槽底部的N型半導體部以及該絕緣介質膜上；

支撐襯底，形成在該金屬層上；

第一盲孔和第二盲孔，該第一盲孔從非摻雜層表面延伸到P型歐姆接觸層表面，該第二盲孔從非摻雜層表面延伸到金屬層表面；

P型及N型壓焊部，分別形成在露出的P型歐姆接觸層以及金屬層上。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，該金屬層由N型歐姆接觸層和位于N型歐姆接觸層上的隔離層構成。

3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，該支撐襯底由金屬支撐層和其上的高阻支撐層組成。

4.根據權利要求3所述的發光二極管，其特征在于，該高阻支撐層是氧化鋁片、氮化鋁片或表面附著絕緣層的金屬片。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的發光二極管，其特征在于，該發光二極管還包括用于提高光提取效率的結構，形成在該非摻雜層表面上。

6.根據權利要求5所述的發光二極管，其特征在于，該結構呈凹坑狀、凸球面狀或者鋸齒形。

7.一種發光二極管模塊，包括：

支撐基板；

多個根據權利要求1-6中任一項所述的發光二極管，該多個發光二極管設置在該支撐基板上；

連接導線，用于將該多個發光二極管串聯或并聯連接在一起。